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英伟达联手三星入局内存研发
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应用材料与美光共建EPIC半导体研发中心
發(fā)表于：2026/3/13 上午9:13:07
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AMD正抢夺三星HBM内存产能
發(fā)表于：2026/3/12 上午10:22:29
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为争夺HBM4市场 SK海力士新技术进入验证阶段
發(fā)表于：2026/3/10 上午9:28:36
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消息称美光出局英伟达Vera Rubin芯片HBM4供应
發(fā)表于：2026/3/9 上午9:01:09
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英伟达澄清LPU新品不会降低HBM市场需求
發(fā)表于：2026/3/6 上午10:54:44
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HBM份额争夺战打响 三星决定增大DRAM尺寸
發(fā)表于：2026/3/2 上午11:25:51
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Q1传统DRAM合约价将上涨90%~95%
發(fā)表于：2026/2/27 上午9:31:47
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三星电子2025Q4重夺全球DRAM内存市占第一
發(fā)表于：2026/2/23 下午7:04:38
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SK海力士发表HBM与HBF联用架构
發(fā)表于：2026/2/12 上午9:58:00
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高盛：全球存储器市场将经历史上最严重供应短缺
發(fā)表于：2026/2/10 下午3:20:22
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存储芯片:数字文明的记忆之芯——从硅基起源到AI时代的产业博弈
發(fā)表于：2026/2/4 上午9:33:03
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SK海力士宣布投资100亿美元在美成立AI解决方案公司
發(fā)表于：2026/1/29 上午10:33:00
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SK海力士将独家为微软最新AI芯片供应HBM
發(fā)表于：2026/1/28 上午9:15:32
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三星HBM4E Base Die已完成前段设计
發(fā)表于：2026/1/23 下午4:28:33
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三星电子否认所有存储产品全面涨价80%传闻
發(fā)表于：2026/1/22 下午2:44:00
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三星电子正开发2nm定制HBM基础裸片解决方案
發(fā)表于：2026/1/22 上午10:28:53
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HBF高带宽闪存有望随HBM6广泛应用
發(fā)表于：2026/1/19 上午10:38:50
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LG电子开发HBM混合键合堆叠设备早期版本
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SK海力士计划投资约130亿美元新建先进芯片封装工厂
發(fā)表于：2026/1/13 上午9:51:10
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英伟达坚持HBM：SRAM应用于AI芯片容量瓶颈是硬伤
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AI抢芯大战持续 云厂商溢价60%扫货存储芯片
發(fā)表于：2026/1/8 上午10:44:02
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存储芯片三巨头加速开发16层堆叠HBM
發(fā)表于：2025/12/29 上午11:18:02
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消息称三星和SK海力士HBM3E内存明年涨价近20%
發(fā)表于：2025/12/25 上午10:00:11
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2025年三季度DRAM市场排名公布
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2026年恐爆发史上最严重存储芯片短缺
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HBM3E与DDR5价差削减促使转产 反推高明年HBM3E定价
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三星HBM3E产品有望成博通首选供应商
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确保利润最大化 三星把HBM产能转向DDR5
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imec在HBM与GPU进行3D堆叠散热方面获得突破
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