《集成電路應用》雜志（ISSN：1674-2583 CN：31-1325/TN）創(chuàng)刊于1984年，由中國電子信息產業(yè)集團有限公司主管、上海貝嶺股份有限公司主辦的國家級學術期刊，上海市集成電路行業(yè)協(xié)會（SICA）會刊。
長期以來，本刊立足我國集成電路產業(yè)，面向全球科技前沿，以“傳播前沿技術、促進學術交流、推動產業(yè)創(chuàng)新、服務國家戰(zhàn)略”為核心理念，致力于打造一個高水平、高質量的學術交流平臺。
本刊內容聚焦集成電路設計、制造、封裝、測試、EDA工具、IP核以及創(chuàng)新應用等全產業(yè)鏈環(huán)節(jié)，旨在及時、準確地反映我國在集成電路領域的最新科研成就、技術創(chuàng)新與工程實踐。
通過促進產、學、研、用深度融合，本刊力求加速推動科技成果轉化與應用，為提升我國集成電路產業(yè)的自主創(chuàng)新能力、突破關鍵核心技術、構建安全可靠的產業(yè)鏈和供應鏈貢獻力量。
1、欄目設置
本刊刊登的論文應具有創(chuàng)新性、科學性及實用性。論文應反映當前國內外集成電路技術及其應用方面的先進技術成果或進展，有獨創(chuàng)內容。未在國內外期刊上公開發(fā)表過，不存在版權爭議及泄密問題。論文撰寫需符合國家科技論文寫作要求。
主要欄目設置及收錄范圍如下：
□綜述與評論：集成電路技術及相關領域綜述或評述性文章。
□數(shù)字與模擬：本欄目聚焦數(shù)字與模擬集成電路設計的前沿理論、關鍵技術與工程實現(xiàn)。包括但不限于：CPU、GPU、AI加速器、NPU、RISC-V等專用/通用處理器設計，異構計算芯片設計，自動布局布線，可制造性設計，信號完整性，電源完整性分析與優(yōu)化，以及各類模擬集成電路設計實例。
□工藝與制造：本欄目聚焦從晶圓材料、前道制程到后道整合的完整制造鏈，深入探討包括但不限于：先進光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入、化學機械拋光、計量檢測等核心工藝模塊的突破與優(yōu)化；關注FD-SOI、FinFET、GAA、CHIPLET等前沿器件結構的大規(guī)模制造技術，追蹤集成電路制造與MEMS、傳感器、功率器件等特色工藝的融合發(fā)展。
□EDA與IP：本欄目追蹤全球EDA技術的最新進展，包括但不限于：人工智能驅動的設計（AI for EDA）、云原生EDA、異構集成與先進封裝設計、數(shù)字孿生、處理器IP（CPU/GPU/NPU）、高速接口IP、模擬及混合信號IP等。
□方案與應用：本欄目聚焦于以芯片為核心完成的終端應用方案、系統(tǒng)設計與工程實現(xiàn)，包括但不限于CPU、MCU、MPU、SoC、ASIC、FPGA、模擬芯片或專用傳感器等的應用方案。
□管理與創(chuàng)新：本欄目圍繞集成電路上下游產業(yè)開展管理探索與創(chuàng)新，包括但不限于集成電路行業(yè)的人力資源管理、集成電路相關的技術項目管理、集成電路相關的科技管理等。
2、稿件撰寫規(guī)范化要求
文章格式按先后順序依次為：中文題名、作者姓名（中文）、作者單位（中文）、中文摘要、中文關鍵詞、中圖分類號、文獻標志碼、英文題名、作者姓名（拼音）、單位（英文）、英文摘要、英文關鍵詞、正文、參考文獻、作者簡介。
文章題目要求簡單明了，不超過25個字；作者署名及單位按先后排序；中英文作者、單位名稱、排序、郵編須一致。
中文摘要150～250字，重點寫清研究的目的、方法、結果、結論。英文摘要須與中文摘要內容一致。關鍵詞數(shù)量以3～8個為宜，關鍵詞須是常用的檢索詞。
來稿如受到基金資助，請在首頁左下角注明（基金類別和編號），在通知稿件錄用時需提供基金證明材料。
正文部分應層次清晰、結構合理，重點突出核心技術問題。文章篇幅不少于5000字符，圖、表、公式豐富，所有圖請采用黑線條，無底色，以保證清晰，表格采用三線表。
參考文獻須按《GB/T 7714-2025》中順序編碼制要求標注。所有參考文獻須著錄項目齊全，并全部在正文內相應引用位置用上角標標出。
文后請給出前三位作者的作者簡介，內容包括：姓名、出生年份、性別、專業(yè)技術職稱、學歷/學位（在讀研究生寫“碩士研究生”或“博士研究生”）。此外，需給出作者詳細工作單位、通信地址、郵編、聯(lián)系電話及E-mail 地址。
3、審稿流程
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《集成電路應用》編輯部
2025年12月30日