1月17日消息，韓國KAIST學(xué)者Kim Jung-Ho昨日在一場(chǎng)論壇研討會(huì)上表示，盡管HBM高帶寬內(nèi)存從初代推出到走至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)舞臺(tái)中央花了近10年的時(shí)間，但HBF高帶寬閃存的這一過程將更為迅速。

一方面，幾大存儲(chǔ)原廠在開發(fā)HBM時(shí)積攢了大量堆棧構(gòu)建方面的設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)；另一方面，AI的爆炸式發(fā)展導(dǎo)致HBM在容量上已難以滿足AI負(fù)載的數(shù)據(jù)需求。

繼SK海力士后，三星電子也加入了閃迪首創(chuàng)的HBF技術(shù)陣營(yíng)，三方正合作實(shí)現(xiàn)HBF的標(biāo)準(zhǔn)化。業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，HBF的帶寬將超過1638GB/s（注：相當(dāng)于PCIe 6.0×4的50倍），容量則將達(dá)到512GB。

在商業(yè)化進(jìn)程上，SK海力士有望在本月晚些時(shí)候展示HBF的早期測(cè)試版本，三星電子與閃迪正向2027年底~2028年初應(yīng)用于英偉達(dá)、AMD、谷歌的AI XPU這一目標(biāo)邁進(jìn)。而HBF的廣泛應(yīng)用則將等到HBM6發(fā)布，屆時(shí)單個(gè)基礎(chǔ)裸片將集成多組存儲(chǔ)堆棧。

Kim Jung-Ho認(rèn)為，HBM與HBF的關(guān)系猶如書房與圖書館，前者容量較小、應(yīng)用更為方便，后者容量更大、延遲更高；針對(duì)NAND閃存與DRAM內(nèi)存的底層區(qū)別，軟件工程師需對(duì)操作HBF中數(shù)據(jù)的算法進(jìn)行優(yōu)化，盡量減少寫入次數(shù)。