11 月 12 日消息，集邦咨詢 Trendforce 昨日（11 月 11 日）發(fā)布博文，報道稱“HBM 之父”金正浩預(yù)測，AI 時代的權(quán)力正從 GPU 轉(zhuǎn)向內(nèi)存，高帶寬閃存（HBF）將成為繼 HBM 之后的新戰(zhàn)場。

IT之家注：金正浩是韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）電氣工程學(xué)系的教授，他被廣泛認為是將高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory，HBM）從概念變?yōu)楝F(xiàn)實的關(guān)鍵人物。

在 HBM 相關(guān)的多項關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，他做出了全球認可的創(chuàng)新研究，包括硅通孔（TSV）、中介層（interposer）、信號線設(shè)計（SI）和電源線設(shè)計（PI）。

在做客 YouTube 頻道節(jié)目中，金正浩語出驚人：“在 AI 時代，權(quán)力天平正從 GPU 轉(zhuǎn)向內(nèi)存?！彼J為，內(nèi)存將在人工智能時代扮演愈發(fā)關(guān)鍵的角色，甚至預(yù)測英偉達未來可能收購一家內(nèi)存公司。

此外，他還強調(diào)了高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，HBF）的崛起，預(yù)計該技術(shù)將在 2026 年初取得新進展，并于 2027 至 2028 年間正式亮相。

隨著傳統(tǒng)硬盤（HDD）行業(yè)艱難地向高成本的熱輔助磁記錄（HAMR）技術(shù)轉(zhuǎn)型，近線固態(tài)硬盤（Nearline SSD）正憑借其成本效益成為熱門替代方案。

與此同時，HBF 被視為突破 AI 集群存儲容量瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。在 AI 推理時代，內(nèi)存容量變得至關(guān)重要，其中鍵值緩存（KV Caching）等技術(shù)直接影響 AI 模型的響應(yīng)速度。因此，金正浩相信 HBF 將與 HBM 并駕齊驅(qū)，成為下一代主流內(nèi)存技術(shù)。

從概念上看，HBF 與 HBM 有相似之處，兩者都利用硅通孔（TSV）技術(shù)來垂直堆疊多層芯片。但不同的是，HBF 基于 NAND 閃存構(gòu)建，因此在容量和成本上具備顯著優(yōu)勢。

金正浩強調(diào)，盡管 NAND 閃存速度慢于 DRAM，但其容量可超過后者 10 倍。通過堆疊成百上千層，HBF 能夠滿足 AI 模型的巨大存儲需求，堪稱“HBM 的 NAND 版本”。

行業(yè)巨頭已迅速行動。SanDisk 與 SK 海力士已于 2025 年 8 月簽署諒解備忘錄（MoU），旨在共同制定 HBF 技術(shù)規(guī)范并推動標準化。他們的目標是在 2026 年下半年發(fā)布 HBF 內(nèi)存樣品，首批采用 HBF 的 AI 推理系統(tǒng)預(yù)計于 2027 年初問世。

值得注意的是，在 10 月中旬舉行的 2025 年 OCP 全球峰會上，SK 海力士已率先展示了其全新的“AIN Family”存儲產(chǎn)品系列，其中就包括采用 HBF 技術(shù)的 AIN B 系列。

三星電子也已啟動自有 HBF 產(chǎn)品的早期概念設(shè)計工作，希望利用其在高性能存儲領(lǐng)域的研發(fā)經(jīng)驗，滿足數(shù)據(jù)中心對高帶寬閃存日益增長的需求。不過，該項目尚處初期階段，具體規(guī)格和量產(chǎn)時間表均未最終確定。

展望未來，金正浩將 AI 的多層級內(nèi)存體系比作一個智能圖書館：

GPU 內(nèi)的 SRAM 是桌面筆記，速度最快但容量最??；

HBM 是旁邊的書架，用于快速存取和計算；

而 HBF 則是地下書庫，負責存儲海量 AI 知識并持續(xù)為 HBM 輸送數(shù)據(jù)。

他預(yù)測，未來 GPU 將同時集成 HBM 與 HBF，形成互補配置，標志著計算與存儲融合的新紀元。