4月9日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士正加快提升其10納米第六代（1c）DRAM的競爭力，用于該工藝的極紫外（EUV）設(shè)備投資較原計(jì)劃增加了約三倍。

業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士正集中精力推進(jìn)1c DRAM技術(shù)的發(fā)展，以應(yīng)用于第七代高帶寬內(nèi)存（HBM）HBM4E的核心芯片，并計(jì)劃于今年交付樣品。

由于HBM的最大客戶英偉達(dá)計(jì)劃于明年下半年推出搭載HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必須加快研發(fā)步伐。

SK海力士計(jì)劃在正在推進(jìn)1c DRAM工藝轉(zhuǎn)換的生產(chǎn)線上部署EUV掃描儀，包括清州M15X、利川M16以及龍仁半導(dǎo)體集群的首家工廠。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已提升至80%。該公司計(jì)劃今年將超過一半的DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為1c工藝產(chǎn)品，預(yù)計(jì)到年底將確保約19萬片的產(chǎn)能。