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消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：2025/1/21 13:00:00
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SK海力士有望2月啟動業(yè)界最先進1c nm制程DRAM量產(chǎn)
發(fā)表于：2025/1/20 11:15:12
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消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場
發(fā)表于：2025/1/16 11:26:14
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南亞科技稱DRAM市場將于2025年二季度開始復蘇
發(fā)表于：2025/1/16 9:08:31
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美光宣布投資21.7億美元提升美國特種DRAM產(chǎn)能
發(fā)表于：2025/1/2 9:00:00
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TrendForce預估2025年一季度一般型DRAM內(nèi)存合約價下跌
發(fā)表于：2024/12/31 11:44:00
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三星準備開發(fā)傳統(tǒng)結構1e nm DRAM
發(fā)表于：2024/12/31 11:16:19
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國產(chǎn)DRAM的市場份額有望快速升至15％
發(fā)表于：2024/12/27 10:29:35
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南亞科技宣布攜手補丁科技合作開發(fā)HBM
發(fā)表于：2024/12/20 10:50:19
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三星電子搶建10nm第七代DRAM測試線
發(fā)表于：2024/12/19 10:14:00
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DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向
發(fā)表于：2024/12/16 15:35:53
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消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設備訂購
發(fā)表于：2024/12/11 11:39:59
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通用PC DRAM內(nèi)存價格暴跌35.7%
發(fā)表于：2024/12/10 10:39:29
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SK海力士新設AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門
發(fā)表于：2024/12/6 9:39:33
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美國對華HBM出口管制規(guī)則公布
發(fā)表于：2024/12/3 13:32:38
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三星將展示42.5Gbps超高速24GB GDDR7顯存
發(fā)表于：2024/12/2 9:55:55
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三星電子官宣2025年度重大組織與高管結構調整
發(fā)表于：2024/11/27 13:51:40
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2024Q3全球DRAM市場營收260.2億美元
發(fā)表于：2024/11/27 13:01:10
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TrendForce預計2025年DRAM價格將下跌
發(fā)表于：2024/11/21 10:19:00
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ASML在2024 年投資者日會議上就市場機遇提供最新看法
發(fā)表于：2024/11/18 23:00:36
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TrendForce研報預計2025年DRAM 價格將下跌
發(fā)表于：2024/11/18 20:10:34
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DDR4內(nèi)存正逐漸被放棄
發(fā)表于：2024/11/11 10:41:33
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鎧俠宣布斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存
發(fā)表于：2024/11/8 8:52:15
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TrendForce預測2025年DRAM產(chǎn)量同比增長25%
發(fā)表于：2024/11/7 10:56:35
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/11/4 13:16:16
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三星半導體業(yè)務三季度獲利環(huán)比大跌40%
發(fā)表于：2024/11/1 8:18:53
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三星前員工涉嫌向韓國泄露國產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國警方逮捕
發(fā)表于：2024/10/31 9:27:05
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消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出
發(fā)表于：2024/10/30 11:22:15
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消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發(fā)表于：2024/10/23 11:18:21
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過英偉達認證
發(fā)表于：2024/10/18 10:19:43
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