3 月 10 日消息，根據(jù) Counterpoint Research 內(nèi)存價(jià)格追蹤報(bào)告，2026 年第一季度移動(dòng)內(nèi)存價(jià)格持續(xù)大幅上漲，其中 DRAM 價(jià)格環(huán)比漲幅超 50%，NAND Flash 價(jià)格環(huán)比暴漲超 90%。

此次大幅漲價(jià)正引發(fā)智能手機(jī)物料清單（BOM）成本的結(jié)構(gòu)性變化。Counterpoint 元器件成本與拆解服務(wù)數(shù)據(jù)顯示，盡管所有價(jià)位段均受影響，但入門級(jí)機(jī)型所受沖擊尤為嚴(yán)重。

低端機(jī)型（批發(fā)價(jià)＜200 美元）：在其他元器件成本保持穩(wěn)定的前提下，2026 年第一季度，采用 6GB LPDDR4X + 128GB eMMC 內(nèi)存配置的典型機(jī)型，其整體 BOM 成本環(huán)比將上漲 25%，內(nèi)存成本占比將高達(dá) 43%。

中端機(jī)型（批發(fā)價(jià) 400–600 美元）：該價(jià)位段通常采用多樣化配置面向不同用戶群體。以 8GB LPDDR5X + 256GB UFS 4.0 配置為例，2026 年第一季度，DRAM 與 NAND 在 BOM 中的占比將分別升至 14% 和 11%，預(yù)計(jì)到第二季度將進(jìn)一步攀升至 20% 和 16%。

高端及旗艦機(jī)型（批發(fā)價(jià)＞800 美元）：旗艦機(jī)將面臨大容量?jī)?nèi)存與 2nm 旗艦芯片的雙重成本壓力。采用 16GB LPDDR5X HKMG + 512GB UFS 4.1 配置的旗艦機(jī)型，預(yù)計(jì)到 2026 年第二季度，BOM 成本將增加 100–150 美元，屆時(shí) DRAM 與 NAND 占比將分別達(dá)到 23% 和 18%。

高級(jí)分析師白勝浩指出：“內(nèi)存價(jià)格暴漲正對(duì)智能手機(jī) BOM 成本產(chǎn)生結(jié)構(gòu)性影響。2026 年，手機(jī)廠商將在元器件成本、毛利率與出貨量目標(biāo)之間艱難平衡。高度依賴入門機(jī)型搶占市場(chǎng)份額的廠商，將面臨短期虧損的重大風(fēng)險(xiǎn)?！?/p>

為緩解壓力，手機(jī)廠商正調(diào)整策略：

精簡(jiǎn)產(chǎn)品線：下調(diào)低端機(jī)型預(yù)期出貨量。

配置優(yōu)化：嚴(yán)控硬件規(guī)格，降級(jí)非核心配置以對(duì)沖成本。

白勝浩進(jìn)一步表示：“面對(duì)內(nèi)存價(jià)格的大幅上漲，常規(guī)降本措施效果可能有限。2026 年智能手機(jī)零售價(jià)上漲幾乎不可避免。我們預(yù)計(jì)低端機(jī)型零售價(jià)將上調(diào)約 30 美元（注：現(xiàn)匯率約合 207.5 元人民幣），部分高端旗艦的成本壓力也將轉(zhuǎn)嫁給消費(fèi)者，漲價(jià)幅度或達(dá) 150–200 美元（現(xiàn)匯率約合 1384 元人民幣）?！?/p>