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SK海力士啟動(dòng)1cGDDR7量產(chǎn)計(jì)劃
發(fā)表于：9/26/2025 2:15:59 PM
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2025Q4全球DRAM價(jià)格將繼續(xù)上漲8%-13%
發(fā)表于：9/25/2025 8:46:59 AM
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SK海力士正與客戶協(xié)商調(diào)整存儲(chǔ)器價(jià)格
發(fā)表于：9/23/2025 1:06:26 PM
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傳美光DRAM暫停報(bào)價(jià) 預(yù)計(jì)將漲價(jià)30%
發(fā)表于：9/15/2025 1:00:29 PM
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全球首款HBM4開發(fā)完成并準(zhǔn)備量產(chǎn)
發(fā)表于：9/12/2025 9:52:42 AM
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2025Q2全球DRAM市場(chǎng)營收排名出爐
發(fā)表于：9/3/2025 9:12:02 AM
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DDR4價(jià)格已連續(xù)4個(gè)月上漲
發(fā)表于：9/2/2025 11:15:36 AM
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SK海力士開始供應(yīng)業(yè)界首款采用新材料的高效散熱移動(dòng)DRAM
發(fā)表于：8/28/2025 9:52:31 AM
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3D DRAM接近現(xiàn)實(shí) 研究人員使用先進(jìn)沉積技術(shù)實(shí)現(xiàn)120層堆棧
發(fā)表于：8/25/2025 11:01:00 AM
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SK海力士終結(jié)三星33年霸主地位 成為全球最大DRAM制造商
發(fā)表于：8/18/2025 10:13:32 AM
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三星上半年DRAM內(nèi)存與智能手機(jī)顯示面板市占率雙雙跌破四成
發(fā)表于：8/15/2025 11:31:01 AM
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SEMI報(bào)告顯示HBM滲透率達(dá)25%將引領(lǐng)硅晶圓將供不應(yīng)求
發(fā)表于：8/13/2025 9:10:59 AM
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SK海力士將1c DRAM制造引入六層EUV工藝
發(fā)表于：8/12/2025 9:05:36 AM
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傳三星1c DRAM良率突破50% HBM4下半年量產(chǎn)
發(fā)表于：7/21/2025 8:58:00 AM
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美國對(duì)日韓全面加征25%關(guān)稅重創(chuàng)內(nèi)存行業(yè)
發(fā)表于：7/9/2025 7:41:39 PM
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DRAM史上最大代際倒掛繼續(xù)：DDR4現(xiàn)貨平均價(jià)2.6倍于DDR5
發(fā)表于：7/7/2025 9:12:39 AM
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三星電子1c nm DRAM內(nèi)存工藝開發(fā)完成
發(fā)表于：7/1/2025 1:13:16 PM
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DRAM史上最大代際倒掛 DDR4現(xiàn)貨均價(jià)兩倍于DDR5
發(fā)表于：6/25/2025 11:19:02 AM
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三星被曝芯病嚴(yán)重：偽造數(shù)據(jù)、掩蓋缺陷
發(fā)表于：6/23/2025 10:19:19 AM
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SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購
發(fā)表于：6/17/2025 1:22:57 PM
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美光宣布將停產(chǎn)DDR4 價(jià)格或?qū)⒊掷m(xù)上漲
發(fā)表于：6/16/2025 1:07:05 PM
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美光宣布在美投資增至2000億美元
發(fā)表于：6/13/2025 1:56:25 PM
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消息稱三星電子在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域率先導(dǎo)入干式光刻膠技術(shù)
發(fā)表于：6/12/2025 11:33:10 AM
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美光率先獲得英偉達(dá)SoCEM模塊量產(chǎn)批準(zhǔn)
發(fā)表于：6/11/2025 1:22:02 PM
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SK海力士發(fā)布未來30年新DRAM技術(shù)路線圖
發(fā)表于：6/10/2025 1:38:27 PM
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美光率先推出第六代10nm級(jí)LPDDR5xDRAM內(nèi)存
發(fā)表于：6/4/2025 2:35:39 PM
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2025Q1全球DRAM市場(chǎng)下滑5.5%
發(fā)表于：6/4/2025 11:22:06 AM
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Intel力拼2027年打造HBM內(nèi)存替代方案
發(fā)表于：6/3/2025 1:07:19 PM
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DDR4價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月上漲超20%
發(fā)表于：6/3/2025 9:23:43 AM
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消息稱三星電子調(diào)整HBM團(tuán)隊(duì)組織架構(gòu) 押寶定制化產(chǎn)品
發(fā)表于：5/28/2025 1:00:32 PM
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