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三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工藝被判刑7年
發(fā)表于：2025/2/20 9:35:37
三星目標(biāo)2028年推出LPW DRAM內(nèi)存
發(fā)表于：2025/2/19 13:02:08
DeepSeek將間接提升國產(chǎn)DRAM競爭力
發(fā)表于：2025/2/19 9:28:00
傳三大DRAM廠商停產(chǎn)DDR3/DDR4
發(fā)表于：2025/2/18 11:21:06
消息稱三星攜1b DRAM樣品訪問英偉達(dá)
發(fā)表于：2025/2/18 10:04:03
2025年1月DRAM價(jià)格創(chuàng)近2年來最大跌幅
發(fā)表于：2025/2/17 9:20:38
長鑫存儲16nm DRAM已量產(chǎn)
發(fā)表于：2025/2/13 13:08:23
三星電子正調(diào)整1c nm DRAM內(nèi)存設(shè)計(jì)以保障良率
發(fā)表于：2025/2/12 11:22:07
Omdia：預(yù)計(jì) PC/服務(wù)器/移動內(nèi)存價(jià)格今年前三季度累計(jì)下滑15%
發(fā)表于：2025/2/11 10:24:58
2025年上半年DRAM價(jià)格將下滑10%
發(fā)表于：2025/2/10 13:28:58
DDR4內(nèi)存價(jià)格持續(xù)下跌 NAND閃存減產(chǎn)效果未顯現(xiàn)
發(fā)表于：2025/2/6 10:31:50
三星電子否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM
發(fā)表于：2025/1/23 9:53:33
消息稱三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM
發(fā)表于：2025/1/22 10:03:58
消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：2025/1/21 13:00:00
SK海力士有望2月啟動業(yè)界最先進(jìn)1c nm制程DRAM量產(chǎn)
發(fā)表于：2025/1/20 11:15:12
消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場
發(fā)表于：2025/1/16 11:26:14
南亞科技稱DRAM市場將于2025年二季度開始復(fù)蘇
發(fā)表于：2025/1/16 9:08:31
美光宣布投資21.7億美元提升美國特種DRAM產(chǎn)能
發(fā)表于：2025/1/2 9:00:00
TrendForce預(yù)估2025年一季度一般型DRAM內(nèi)存合約價(jià)下跌
發(fā)表于：2024/12/31 11:44:00
三星準(zhǔn)備開發(fā)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)1e nm DRAM
發(fā)表于：2024/12/31 11:16:19
國產(chǎn)DRAM的市場份額有望快速升至15％
發(fā)表于：2024/12/27 10:29:35
南亞科技宣布攜手補(bǔ)丁科技合作開發(fā)HBM
發(fā)表于：2024/12/20 10:50:19
三星電子搶建10nm第七代DRAM測試線
發(fā)表于：2024/12/19 10:14:00
DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向
發(fā)表于：2024/12/16 15:35:53
消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購
發(fā)表于：2024/12/11 11:39:59
通用PC DRAM內(nèi)存價(jià)格暴跌35.7%
發(fā)表于：2024/12/10 10:39:29
SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門
發(fā)表于：2024/12/6 9:39:33
美國對華HBM出口管制規(guī)則公布
發(fā)表于：2024/12/3 13:32:38
三星將展示42.5Gbps超高速24GB GDDR7顯存
發(fā)表于：2024/12/2 9:55:55
三星電子官宣2025年度重大組織與高管結(jié)構(gòu)調(diào)整
發(fā)表于：2024/11/27 13:51:40

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