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消息稱三星電子HBM4內(nèi)存邏輯芯片進(jìn)展較佳
發(fā)表于：4/18/2025 10:46:39 AM
SK海力士首次超越三星成為全球第一大DRAM供應(yīng)商
發(fā)表于：4/9/2025 8:23:02 PM
消息稱SK海力士1c nm DRAM內(nèi)存良率約為80%
發(fā)表于：4/8/2025 9:15:35 PM
傳三星電子考慮對(duì)DRAM內(nèi)存和NAND閃存產(chǎn)品提價(jià)3%~5%
發(fā)表于：4/7/2025 10:39:58 AM
傳統(tǒng)DRAM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈三星利潤(rùn)面臨連續(xù)三季度下滑
發(fā)表于：4/1/2025 11:21:18 AM
存儲(chǔ)芯片大廠美光宣布也將漲價(jià)
發(fā)表于：3/27/2025 9:37:02 AM
TrendForce預(yù)計(jì)2025年二季度DRAM價(jià)格跌幅收窄
發(fā)表于：3/26/2025 10:40:29 AM
DRAM價(jià)格連續(xù)六月下跌
發(fā)表于：3/24/2025 11:06:05 AM
韓國(guó)半導(dǎo)體對(duì)華出口暴跌
發(fā)表于：3/18/2025 9:20:36 AM
美光1γ制程DRAM僅采用了一層EUV光刻
發(fā)表于：3/12/2025 11:07:32 AM
2024年四季度全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)9.9%
發(fā)表于：2/28/2025 11:19:04 AM
美光宣布1γ DRAM內(nèi)存開始出貨
發(fā)表于：2/26/2025 10:22:00 AM
三星將LPDDR5速率提高到12.7Gb/s
發(fā)表于：2/24/2025 9:29:18 AM
三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工藝被判刑7年
發(fā)表于：2/20/2025 9:35:37 AM
三星目標(biāo)2028年推出LPW DRAM內(nèi)存
發(fā)表于：2/19/2025 1:02:08 PM
DeepSeek將間接提升國(guó)產(chǎn)DRAM競(jìng)爭(zhēng)力
發(fā)表于：2/19/2025 9:28:00 AM
傳三大DRAM廠商停產(chǎn)DDR3/DDR4
發(fā)表于：2/18/2025 11:21:06 AM
消息稱三星攜1b DRAM樣品訪問(wèn)英偉達(dá)
發(fā)表于：2/18/2025 10:04:03 AM
2025年1月DRAM價(jià)格創(chuàng)近2年來(lái)最大跌幅
發(fā)表于：2/17/2025 9:20:38 AM
三星電子正調(diào)整1c nm DRAM內(nèi)存設(shè)計(jì)以保障良率
發(fā)表于：2/12/2025 11:22:07 AM
Omdia：預(yù)計(jì) PC/服務(wù)器/移動(dòng)內(nèi)存價(jià)格今年前三季度累計(jì)下滑15%
發(fā)表于：2/11/2025 10:24:58 AM
2025年上半年DRAM價(jià)格將下滑10%
發(fā)表于：2/10/2025 1:28:58 PM
DDR4內(nèi)存價(jià)格持續(xù)下跌 NAND閃存減產(chǎn)效果未顯現(xiàn)
發(fā)表于：2/6/2025 10:31:50 AM
三星電子否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM
發(fā)表于：1/23/2025 9:53:33 AM
消息稱三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM
發(fā)表于：1/22/2025 10:03:58 AM
消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：1/21/2025 1:00:00 PM
SK海力士有望2月啟動(dòng)業(yè)界最先進(jìn)1c nm制程DRAM量產(chǎn)
發(fā)表于：1/20/2025 11:15:12 AM
消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場(chǎng)
發(fā)表于：1/16/2025 11:26:14 AM
南亞科技稱DRAM市場(chǎng)將于2025年二季度開始復(fù)蘇
發(fā)表于：1/16/2025 9:08:31 AM
美光宣布投資21.7億美元提升美國(guó)特種DRAM產(chǎn)能
發(fā)表于：1/2/2025 9:00:00 AM

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