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消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出
發(fā)表于：10/30/2024 11:22:15 AM
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消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發(fā)表于：10/23/2024 11:18:21 AM
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過英偉達認證
發(fā)表于：10/18/2024 10:19:43 AM
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TrendForce預測2024年第四季度DRAM價格漲幅放緩
發(fā)表于：10/14/2024 10:01:38 AM
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摩根士丹利報告顯示DRAM市場寒冬將至
發(fā)表于：9/19/2024 11:21:01 AM
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兩名前三星員工涉嫌泄露價值32億美元商業(yè)機密被捕
發(fā)表于：9/12/2024 8:50:18 AM
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英飛凌支付7.5億歐元與奇夢達和解
發(fā)表于：8/25/2024 3:12:50 PM
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2024年第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長24.8%
發(fā)表于：8/16/2024 8:50:50 AM
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消息稱SK海力士啟動M16擴產(chǎn)
發(fā)表于：8/15/2024 9:47:46 AM
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消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資
發(fā)表于：8/13/2024 10:39:10 AM
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機構(gòu)預計2024年DRAM收入將激增至980億美元
發(fā)表于：8/6/2024 9:56:00 AM
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傳稱三星將轉(zhuǎn)移30%產(chǎn)能生產(chǎn)HBM
發(fā)表于：7/17/2024 10:10:00 PM
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DRAM和NAND現(xiàn)貨價格下跌 短期內(nèi)難以回升
發(fā)表于：6/21/2024 8:30:26 AM
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消息稱美光正在全球擴張HBM內(nèi)存產(chǎn)能
發(fā)表于：6/20/2024 8:35:40 AM
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消息稱三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:45 AM
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南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn)
發(fā)表于：5/30/2024 11:19:00 AM
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消息稱SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠
發(fā)表于：5/30/2024 11:13:05 AM
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SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已接近80%
發(fā)表于：5/23/2024 8:38:29 AM
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三星SK海力士將超過20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM
發(fā)表于：5/15/2024 8:39:29 AM
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消息稱三星計劃量產(chǎn)的1c DRAM使用MOR光刻膠
發(fā)表于：4/30/2024 8:55:20 AM
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消息稱SK 海力士擬新建DRAM工廠
發(fā)表于：4/29/2024 8:58:12 AM
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美光獲得美國至多61.4億美元直接補貼和75億美元貸款
發(fā)表于：4/26/2024 8:59:35 AM
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SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠
發(fā)表于：4/25/2024 8:59:30 AM
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美光科技：臺灣地震導致DRAM芯片季度供應下降5%
發(fā)表于：4/15/2024 9:58:00 AM
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美光計劃二季度針對DRAM內(nèi)存和固態(tài)硬盤產(chǎn)品調(diào)漲 25%
發(fā)表于：4/9/2024 11:23:21 PM
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SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)
發(fā)表于：4/9/2024 11:09:13 PM
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三星和SK海力士正在提高DRAM產(chǎn)量
發(fā)表于：4/7/2024 8:51:11 AM
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三星升級HBM團隊以加速AI推理芯片Mach-2開發(fā)
發(fā)表于：4/1/2024 9:51:00 AM
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美光投資43億元擴建西安封裝和測試工廠
發(fā)表于：3/28/2024 9:15:05 AM
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美光預估AI時代旗艦手機DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%
發(fā)表于：3/22/2024 9:00:31 AM
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