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DRAM和NAND現(xiàn)貨價格下跌 短期內(nèi)難以回升
發(fā)表于：6/21/2024 8:30:26 AM
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消息稱美光正在全球擴張HBM內(nèi)存產(chǎn)能
發(fā)表于：6/20/2024 8:35:40 AM
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消息稱三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:45 AM
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南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn)
發(fā)表于：5/30/2024 11:19:00 AM
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消息稱SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠
發(fā)表于：5/30/2024 11:13:05 AM
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SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已接近80%
發(fā)表于：5/23/2024 8:38:29 AM
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三星SK海力士將超過20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM
發(fā)表于：5/15/2024 8:39:29 AM
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消息稱三星計劃量產(chǎn)的1c DRAM使用MOR光刻膠
發(fā)表于：4/30/2024 8:55:20 AM
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消息稱SK 海力士擬新建DRAM工廠
發(fā)表于：4/29/2024 8:58:12 AM
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美光獲得美國至多61.4億美元直接補貼和75億美元貸款
發(fā)表于：4/26/2024 8:59:35 AM
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SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠
發(fā)表于：4/25/2024 8:59:30 AM
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美光科技：臺灣地震導(dǎo)致DRAM芯片季度供應(yīng)下降5%
發(fā)表于：4/15/2024 9:58:00 AM
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美光計劃二季度針對DRAM內(nèi)存和固態(tài)硬盤產(chǎn)品調(diào)漲 25%
發(fā)表于：4/9/2024 11:23:21 PM
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SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)
發(fā)表于：4/9/2024 11:09:13 PM
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三星和SK海力士正在提高DRAM產(chǎn)量
發(fā)表于：4/7/2024 8:51:11 AM
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三星升級HBM團隊以加速AI推理芯片Mach-2開發(fā)
發(fā)表于：4/1/2024 9:51:00 AM
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美光投資43億元擴建西安封裝和測試工廠
發(fā)表于：3/28/2024 9:15:05 AM
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美光預(yù)估AI時代旗艦手機DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%
發(fā)表于：3/22/2024 9:00:31 AM
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三星正研發(fā) CMM-H 混合存儲模組
發(fā)表于：3/21/2024 9:00:05 AM
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三星DRAM預(yù)估今年下半年產(chǎn)能恢復(fù)到2023年前水平
發(fā)表于：3/18/2024 9:00:44 AM
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DRAM增長全面轉(zhuǎn)正，六巨頭大漲221%
發(fā)表于：3/8/2024 10:00:00 AM
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美光計劃部署納米印刷技術(shù)以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本
發(fā)表于：3/6/2024 9:00:46 AM
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SK海力士或?qū)⑴c鎧俠合作在日本生產(chǎn)HBM
發(fā)表于：3/5/2024 9:30:29 AM
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南亞內(nèi)存20nm技術(shù)被盜損失數(shù)十億
發(fā)表于：3/5/2024 9:30:28 AM
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SK海力士三星電子HBM良率僅65%
發(fā)表于：3/5/2024 9:30:21 AM
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AI浪潮帶動存儲芯片再進化
發(fā)表于：3/5/2024 9:30:11 AM
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三星：考慮將MUF技術(shù)應(yīng)用于服務(wù)器 DRAM 內(nèi)存
發(fā)表于：3/4/2024 9:30:45 AM
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SK海力士2024年將增8臺EUV光刻機
發(fā)表于：2/28/2024 9:30:18 AM
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SK海力士將升級中國半導(dǎo)體工廠
發(fā)表于：1/15/2024 11:09:58 AM
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消息稱三星和美光第 1 季度 DRAM 價格已上調(diào) 15%-20%
發(fā)表于：1/3/2024 11:48:30 AM
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