dram 相關(guān)文章(753篇)
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消息稱SK 海力士擬新建DRAM工廠
發(fā)表于：2024/4/29 8:58:12
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美光獲得美國至多61.4億美元直接補貼和75億美元貸款
發(fā)表于：2024/4/26 8:59:35
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SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠
發(fā)表于：2024/4/25 8:59:30
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美光科技：臺灣地震導(dǎo)致DRAM芯片季度供應(yīng)下降5%
發(fā)表于：2024/4/15 9:58:00
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美光計劃二季度針對DRAM內(nèi)存和固態(tài)硬盤產(chǎn)品調(diào)漲 25%
發(fā)表于：2024/4/9 23:23:21
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SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)
發(fā)表于：2024/4/9 23:09:13
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三星和SK海力士正在提高DRAM產(chǎn)量
發(fā)表于：2024/4/7 8:51:11
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三星升級HBM團隊以加速AI推理芯片Mach-2開發(fā)
發(fā)表于：2024/4/1 9:51:00
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美光投資43億元擴建西安封裝和測試工廠
發(fā)表于：2024/3/28 9:15:05
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美光預(yù)估AI時代旗艦手機DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%
發(fā)表于：2024/3/22 9:00:31
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三星正研發(fā) CMM-H 混合存儲模組
發(fā)表于：2024/3/21 9:00:05
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三星DRAM預(yù)估今年下半年產(chǎn)能恢復(fù)到2023年前水平
發(fā)表于：2024/3/18 9:00:44
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DRAM增長全面轉(zhuǎn)正，六巨頭大漲221%
發(fā)表于：2024/3/8 10:00:00
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美光計劃部署納米印刷技術(shù)以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本
發(fā)表于：2024/3/6 9:00:46
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SK海力士或?qū)⑴c鎧俠合作在日本生產(chǎn)HBM
發(fā)表于：2024/3/5 9:30:29
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南亞內(nèi)存20nm技術(shù)被盜損失數(shù)十億
發(fā)表于：2024/3/5 9:30:28
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SK海力士三星電子HBM良率僅65%
發(fā)表于：2024/3/5 9:30:21
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AI浪潮帶動存儲芯片再進化
發(fā)表于：2024/3/5 9:30:11
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三星：考慮將MUF技術(shù)應(yīng)用于服務(wù)器 DRAM 內(nèi)存
發(fā)表于：2024/3/4 9:30:45
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SK海力士2024年將增8臺EUV光刻機
發(fā)表于：2024/2/28 9:30:18
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SK海力士將升級中國半導(dǎo)體工廠
發(fā)表于：2024/1/15 11:09:58
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消息稱三星和美光第 1 季度 DRAM 價格已上調(diào) 15%-20%
發(fā)表于：2024/1/3 11:48:30
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美光率先為業(yè)界伙伴提供基于 32Gb 單裸片 DRAM 的高速率、低延遲 128GB 大容量 RDIMM 內(nèi)存
發(fā)表于：2023/11/26 8:36:00
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)谷底已現(xiàn)！
發(fā)表于：2023/6/12 10:59:20
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存儲芯片路線圖
發(fā)表于：2023/5/9 10:06:17
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AI入侵芯片設(shè)計，會干掉工程師嗎？
發(fā)表于：2023/5/4 10:39:02
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美國要再出手，全面鎖死中國18nm以下DRAM、128層以上NAND芯片
發(fā)表于：2023/2/28 23:28:19
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存儲芯片大跌，創(chuàng)15年來新低，這對中國芯片廠商有利
發(fā)表于：2023/2/26 20:56:54
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消息稱 ChatGPT 等生成式 AI 技術(shù)利于縮短 DRAM 市場低迷期
發(fā)表于：2023/2/24 21:13:08
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消息稱三星電子正考慮削減芯片產(chǎn)量，第一季度或巨額虧損
發(fā)表于：2023/1/31 23:05:22
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