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存儲芯片一周再次暴漲30%

2025-10-27
來源:網(wǎng)易科技
關(guān)鍵詞: 存儲芯片 HBM DRAM DDR4

“這次漲價的特別之處在于,我在這個行業(yè)這么多年,之前從未見過漲價周期能夠持續(xù)這么久?!眹鴥?nèi)一家存儲模組廠的員工近日向財聯(lián)社記者感嘆道。

眼下,存儲芯片市場正經(jīng)歷一場由AI驅(qū)動的、前所未有的全面缺貨與漲價潮。這場始于上半年的漲勢,進(jìn)入第四季度非但沒有趨緩,反而有進(jìn)一步加劇的跡象。

有存儲產(chǎn)業(yè)鏈人士告訴財聯(lián)社記者,目前部分存儲原廠已經(jīng)對部分Dram和Flash產(chǎn)線采取暫停報價策略;漲價壓力亦已傳導(dǎo)至終端市場,小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍24日在微博上直言,“最近內(nèi)存漲價實在太多”。

究其原因,此輪漲價的核心驅(qū)動力并非簡單的周期性波動,而是以HBM為代表的AI需求爆發(fā),正徹底打破存儲行業(yè)的傳統(tǒng)供需平衡。

TrendForce集邦咨詢分析師許家源向財聯(lián)社記者指出,原廠產(chǎn)能正優(yōu)先分配給高階Server DRAM和HBM,從而擠壓了傳統(tǒng)消費(fèi)電子所需的DDR4、LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品供給,DDR4的緊缺或持續(xù)到26年的H1。對于國內(nèi)廠商而言,許家源認(rèn)為模組廠已積極儲備顆粒及晶圓(wafer)庫存,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈正試圖通過積極囤貨和調(diào)漲價格,迎接這場結(jié)構(gòu)性景氣新時代。

四季度漲勢超預(yù)期:AI驅(qū)動“計劃性犧牲”引發(fā)供應(yīng)結(jié)構(gòu)失衡

眾所周知,存儲行業(yè)周期性極強(qiáng),大漲后往往伴隨著低迷。而今年,存儲芯片價格的上漲已持續(xù)超過半年,進(jìn)入四季度,其漲勢非但沒有趨緩,反而因多重因素疊加而進(jìn)一步加劇。

CFM閃存市場最新報價顯示,產(chǎn)業(yè)上游成本的急速攀升,DDR4 16Gb 3200現(xiàn)貨報價本周已達(dá)到13.00美元,較上周暴漲30%;同時,512Gb Flash Wafer價格10月以來累計漲幅也已超過20%。

有存儲產(chǎn)業(yè)鏈人士向財聯(lián)社記者透露,目前原廠的部分Dram和Flash產(chǎn)品已經(jīng)處于停止報價狀態(tài),就算報價,價格有效期也很短,“一天一個價”她說。

許家源則向記者預(yù)計,DRAM的整體價格(加計HBM)在第四季度將季增13%-18%。

多位存儲從業(yè)人士均向記者表示,這種產(chǎn)業(yè)鏈全面上漲如此之長時間的“超級周期”,此前見所未見。

資本市場亦對這輪“超級周期”反應(yīng)熱烈。10月24日,A股存儲芯片概念再度爆發(fā),普冉股份(688076.SH)、香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)強(qiáng)勢20%漲停,佰維存儲(688525.SH)、江波龍(301308.SZ)等漲超10%。

AI驅(qū)動的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移引發(fā)產(chǎn)品供應(yīng)的結(jié)構(gòu)性失衡是此輪漲價的核心邏輯。

AI大模型的發(fā)展,帶動著產(chǎn)業(yè)鏈對于GPU等基礎(chǔ)設(shè)施的需求。摩根士丹利日前預(yù)測,今年科技巨頭在AI基礎(chǔ)設(shè)施上的投入將達(dá)到4000億美元。這創(chuàng)造了存儲芯片的海量需求。Yole Group預(yù)計,2025年,主要用于GPU生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品的營收預(yù)計將接近翻倍,達(dá)到約340億美元;HBM 市場將在2030年前保持33%的年復(fù)合增長率,屆時其營收將超過 DRAM 市場總營收的50%。

而由于HBM所消耗的晶圓容量是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍多,在總產(chǎn)能有限的情況下,迫使存儲巨頭們將產(chǎn)能重點轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM和DDR5。許家源告訴財聯(lián)社記者,原廠已將產(chǎn)能優(yōu)先保障生產(chǎn)Server DRAM及HBM。

因此,隨著原廠將產(chǎn)能優(yōu)先轉(zhuǎn)移至火熱的高價值產(chǎn)品,DDR4、LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品則開始面臨“計劃性犧牲”而供應(yīng)緊缺,產(chǎn)品漲價范圍也從需求暴增的HBM擴(kuò)大至整個存儲市場。

多位模組廠人士向記者表示,從今年一季度開始,DDR4的原廠價格持續(xù)走高。根據(jù)慢慢買App,一款金士頓(Kingston)的DDR4臺式機(jī)內(nèi)存條,價格從今年3月開始急速上漲,目前售價已超去年同期兩倍。

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手機(jī)等終端市場也對存儲漲價產(chǎn)生反饋。23日發(fā)售的Redmi K90系列手機(jī)部分版本售價較上一代上調(diào)了100-400元不等,小米集團(tuán)總裁盧偉冰對此公開表示,來自上游的成本壓力,已真實的傳導(dǎo)到了其新品定價上。他坦言,無法改變?nèi)蚬?yīng)鏈的走勢,存儲成本上漲也遠(yuǎn)高于預(yù)期,且會持續(xù)加劇,但小米希望這份誠意能夠讓大家理解。

許家源指出,未來,DDR4供給預(yù)計將持續(xù)緊缺,至少延續(xù)至1H26。威剛董事長陳立白也在日前公開表示,看好第四季才是存儲大多頭的起點,也是存儲嚴(yán)重缺貨的開始,明年產(chǎn)業(yè)榮景可期。

對于這種情況,許家源告訴記者,不少下游廠商已經(jīng)在想辦法應(yīng)對。其中,PC OEMs正在加速導(dǎo)入DDR5機(jī)種來應(yīng)對,而TV、網(wǎng)通等Consumer領(lǐng)域則放緩了由DDR3轉(zhuǎn)至DDR4的進(jìn)程。

國內(nèi)模組廠積極囤貨待漲

在這輪由AI開啟的行業(yè)新周期中,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈的各環(huán)節(jié)正積極調(diào)整策略,試圖擴(kuò)大盈利能力并提升市場地位。

此次“超級周期”對各個生產(chǎn)環(huán)節(jié)影響存在明顯差異。首先,對于模組廠而言,囤貨成為應(yīng)對漲價、確保盈利的關(guān)鍵。江波龍證券部人士告訴財聯(lián)社記者,上游漲價對公司的毛利率有正向的貢獻(xiàn),因為公司提前有存貨。許家源也表示,八月以來模組廠已積極儲備顆粒及晶圓(wafer)庫存、并調(diào)漲模組產(chǎn)品定價。

不過,并非所有模組廠商都采取大規(guī)模囤貨的政策。朗科科技證券部人士表示,公司采取“清庫存”的運(yùn)營模式,庫存量相對同行要少一些,因此業(yè)績波動性會小一些。

芯片設(shè)計公司和分銷商則更依靠于產(chǎn)業(yè)鏈的價格傳導(dǎo)。

普冉股份(688076.SH)證券部人士向財聯(lián)社記者表示,公司正與下游客戶商談漲價,“四季度開始有一些供給緊張,然后肯定是跟下游商談,想要博弈去看一下是不是能有漲幅?!?/p>

分銷商的香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)證券部人士表示,公司就分銷業(yè)務(wù)而言,毛利水平基本上是穩(wěn)定的,但上游采購價格上漲,分銷給下游的價格也會上漲,“存儲的行情影響,對我們影響更多的是量帶來的變化,毛利的變化不會特別大。”

值得注意的是,國際原廠的漲價需求已傳導(dǎo)至國內(nèi)晶圓廠。國內(nèi)一家存儲大廠人士向財聯(lián)社記者表示,國外原廠漲價令部分國產(chǎn)廠商轉(zhuǎn)向國內(nèi)晶圓廠。在這種背景下,原廠獲利顯著擴(kuò)大已是行業(yè)共識。

最后,在這種結(jié)構(gòu)性變革中,國產(chǎn)廠商也正加速擁抱AI新周期。

除積極擴(kuò)大企業(yè)級SSD等產(chǎn)品的供應(yīng),國內(nèi)企業(yè)正將目光聚焦于HBM、先進(jìn)封裝和服務(wù)器DDR5等高附加值領(lǐng)域,力圖在國際大廠戰(zhàn)略性調(diào)整產(chǎn)能之際抓住機(jī)遇。

目前,國產(chǎn)HBM產(chǎn)業(yè)鏈上較成熟的環(huán)節(jié)在于檢測設(shè)備、先進(jìn)封裝等。賽騰股份(603283.SH)日前在投資者平臺表示,公司HBM檢測設(shè)備已得到海外大客戶的認(rèn)可并已批量出貨,國內(nèi)市場正在積極開拓中;中微公司(688012.SH)此前也公開表示,已在先進(jìn)封裝領(lǐng)域(包含高寬帶存儲器HBM工藝)全面布局,包含刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測設(shè)備等,且已經(jīng)發(fā)布CCP刻蝕及TSV深硅通孔設(shè)備。

此外,佰維存儲日前表示,公司的晶圓級先進(jìn)封測制項目正處于投產(chǎn)準(zhǔn)備過程中,項目建設(shè)完成后將為客戶提供“存儲+晶圓級先進(jìn)封測”一站式綜合解決方案,進(jìn)一步提升公司在存算整合領(lǐng)域的核心競爭力。

許家源預(yù)測,隨著各大原廠的HBM產(chǎn)能釋放,雖然預(yù)計2026年HBM3e可能面臨供過于求壓力,但新世代的HBM4具有技術(shù)門檻,仍呈供不應(yīng)求態(tài)勢。


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