《電子技術(shù)應(yīng)用》
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存储材料原子级“开关”过程首次捕捉 为更小更快存储铺路

2026-04-07
來(lái)源:IT之家
關(guān)鍵詞: 存储材料 存储芯片 先进存储

4 月 7 日消息,科學(xué)家成功捕捉到一種存儲(chǔ)材料在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)的原子“開(kāi)關(guān)”過(guò)程,有望為開(kāi)發(fā)更小、更快、更節(jié)能的電子產(chǎn)品鋪平道路。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《自然 · 通訊》。

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這項(xiàng)研究由莫納什大學(xué)物理與天文學(xué)院的日本學(xué)術(shù)振興會(huì)(JSPS)博士后研究員大江耕介博士領(lǐng)導(dǎo),研究合作方包括澳大利亞桂冠教授喬安娜 · 埃瑟里奇,以及來(lái)自日本精細(xì)陶瓷中心、京都大學(xué)和大阪大學(xué)的研究人員。

研究團(tuán)隊(duì)借助莫納什大學(xué)電子顯微鏡中心(MCEM)的先進(jìn)電子顯微鏡設(shè)備,捕捉到了被稱為“螢石型鐵電體”的潛在存儲(chǔ)材料內(nèi)部的原子級(jí)運(yùn)動(dòng)。這類材料有望克服當(dāng)前存儲(chǔ)器件在小型化和能效方面所面臨的技術(shù)極限。

在我們?nèi)粘J褂玫脑S多技術(shù)中 —— 例如醫(yī)療設(shè)備、可穿戴電子產(chǎn)品以及公共交通中使用的非接觸式 IC 卡 —— 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)往往是通過(guò)翻轉(zhuǎn)材料內(nèi)部的微小電學(xué)狀態(tài)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這項(xiàng)研究首次在單個(gè)原子層面上揭示了這些“開(kāi)關(guān)”究竟是如何翻轉(zhuǎn)的。

該團(tuán)隊(duì)采用了一種可實(shí)時(shí)追蹤原子運(yùn)動(dòng)的高靈敏度成像技術(shù),從而捕捉到了發(fā)生在數(shù)分之一秒內(nèi)的變化。他們發(fā)現(xiàn),開(kāi)關(guān)過(guò)程并非單步完成,而是經(jīng)過(guò)此前未知的中間原子結(jié)構(gòu);同時(shí),通過(guò)改變材料成分可以控制這一過(guò)程。

大江耕介博士表示:“利用最先進(jìn)的電子顯微鏡,我們首次能夠直接觀察存儲(chǔ)器件存儲(chǔ)信息所依賴的開(kāi)關(guān)過(guò)程中原子的運(yùn)動(dòng)。這為我們帶來(lái)了全新的理解層次 —— 我們不僅知道開(kāi)關(guān)發(fā)生了,更從原子尺度上知道了它究竟是如何發(fā)生的。令人興奮的是,我們現(xiàn)在能夠看到控制這一行為的路徑,從而為設(shè)計(jì)更快、更穩(wěn)定且能效更高的材料打開(kāi)了大門(mén)?!?/p>

同樣來(lái)自物理與天文學(xué)院、并擔(dān)任莫納什大學(xué)電子顯微鏡中心科學(xué)顧問(wèn)的埃瑟里奇教授解釋說(shuō):“現(xiàn)代技術(shù)需要越來(lái)越小、能效越來(lái)越高的存儲(chǔ)器。這些材料令人振奮之處在于,即使在傳統(tǒng)材料失效的微小尺寸下,它們依然能夠正常工作。通過(guò)揭示原子在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的運(yùn)動(dòng)路徑,這項(xiàng)工作為工程化下一代存儲(chǔ)器件提供了原子尺度的路線圖?!?/p>

該發(fā)現(xiàn)為下一代鐵電材料提供了關(guān)鍵的設(shè)計(jì)思路,特別是不同元素如何影響原子運(yùn)動(dòng)和開(kāi)關(guān)行為。這為在原子級(jí)別上定制材料、提高耐用性和效率,以及加速先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展創(chuàng)造了新的可能性。

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