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三星電子否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM
發(fā)表于：2025/1/23 9:53:33
消息稱(chēng)三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM
發(fā)表于：2025/1/22 10:03:58
消息稱(chēng)三星電子已將1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：2025/1/21 13:00:00
SK海力士有望2月啟動(dòng)業(yè)界最先進(jìn)1c nm制程DRAM量產(chǎn)
發(fā)表于：2025/1/20 11:15:12
消息稱(chēng)美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場(chǎng)
發(fā)表于：2025/1/16 11:26:14
南亞科技稱(chēng)DRAM市場(chǎng)將于2025年二季度開(kāi)始復(fù)蘇
發(fā)表于：2025/1/16 9:08:31
美光宣布投資21.7億美元提升美國(guó)特種DRAM產(chǎn)能
發(fā)表于：2025/1/2 9:00:00
TrendForce預(yù)估2025年一季度一般型DRAM內(nèi)存合約價(jià)下跌
發(fā)表于：2024/12/31 11:44:00
三星準(zhǔn)備開(kāi)發(fā)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)1e nm DRAM
發(fā)表于：2024/12/31 11:16:19
國(guó)產(chǎn)DRAM的市場(chǎng)份額有望快速升至15％
發(fā)表于：2024/12/27 10:29:35
南亞科技宣布攜手補(bǔ)丁科技合作開(kāi)發(fā)HBM
發(fā)表于：2024/12/20 10:50:19
三星電子搶建10nm第七代DRAM測(cè)試線(xiàn)
發(fā)表于：2024/12/19 10:14:00
DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向
發(fā)表于：2024/12/16 15:35:53
消息稱(chēng)三星電子啟動(dòng)下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購(gòu)
發(fā)表于：2024/12/11 11:39:59
通用PC DRAM內(nèi)存價(jià)格暴跌35.7%
發(fā)表于：2024/12/10 10:39:29
SK海力士新設(shè)AI芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén)
發(fā)表于：2024/12/6 9:39:33
美國(guó)對(duì)華HBM出口管制規(guī)則公布
發(fā)表于：2024/12/3 13:32:38
三星將展示42.5Gbps超高速24GB GDDR7顯存
發(fā)表于：2024/12/2 9:55:55
三星電子官宣2025年度重大組織與高管結(jié)構(gòu)調(diào)整
發(fā)表于：2024/11/27 13:51:40
2024Q3全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收260.2億美元
發(fā)表于：2024/11/27 13:01:10
TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
發(fā)表于：2024/11/21 10:19:00
ASML在2024 年投資者日會(huì)議上就市場(chǎng)機(jī)遇提供最新看法
發(fā)表于：2024/11/18 23:00:36
TrendForce研報(bào)預(yù)計(jì)2025年DRAM 價(jià)格將下跌
發(fā)表于：2024/11/18 20:10:34
DDR4內(nèi)存正逐漸被放棄
發(fā)表于：2024/11/11 10:41:33
鎧俠宣布斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存
發(fā)表于：2024/11/8 8:52:15
TrendForce預(yù)測(cè)2025年DRAM產(chǎn)量同比增長(zhǎng)25%
發(fā)表于：2024/11/7 10:56:35
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/11/4 13:16:16
三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)三季度獲利環(huán)比大跌40%
發(fā)表于：2024/11/1 8:18:53
三星前員工涉嫌向韓國(guó)泄露國(guó)產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國(guó)警方逮捕
發(fā)表于：2024/10/31 9:27:05
消息稱(chēng)三星下代400+層V-NAND 2026年推出
發(fā)表于：2024/10/30 11:22:15

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