1月27日消息，國內(nèi)的芯片行業(yè)面臨著很多限制因素，導致產(chǎn)能和技術提升挑戰(zhàn)很大，但這些并不會阻止國產(chǎn)芯片行業(yè)的發(fā)展，從進口的光刻機銷售額來看，國內(nèi)仍在發(fā)力。

伯恩斯坦根據(jù)中國海關的數(shù)據(jù)統(tǒng)計了2025年進口半導體設備的情況，全年進口設備銷售額高達391.66億美元，同比增長了3%。

剛剛過去的12月就有45.08億美元的進口額，比上一個月高出84%，這顯然是因為搶在許可失效之前加快了購買速度，因為部分受限設備的許可是年度性的，12月不進口，今年1月份就是新的許可限制了。

光刻機依然是進口的設備中份額最高的，全年進口了106.2億美元的光刻機，約合740多億元，與2024年的107.24億美元基本持平。

不要以為25年增長率不高就是國內(nèi)產(chǎn)能放緩了，實際上是因為23-24這兩年進口光刻機遠超之前的水平，那時候因為徹底禁售的傳聞導致國內(nèi)廠商提前下單，ASML的業(yè)績都爆表了，25年依然維持高位說明國內(nèi)的產(chǎn)能建設還降下來。

不過在光刻機之外，去年設備進口還有2個驚喜，那就是干法刻蝕、沉積設備這兩個種類，分別進口了64.21億、83.48億美元，同比增長了23%、8%。

這三類設備也是半導體生產(chǎn)最關鍵的設備了，如果再加一個就是離子注入機，不過這個進口額并不高，算在了其他項目里，合計才8.8億美元。

離子注入設備的國產(chǎn)化水平還不錯，不論是高能還是低能注入機都有一定的國產(chǎn)設備量產(chǎn)。

在光刻機同比增長不大的情況下，刻蝕及沉積設備進口大漲意味著國產(chǎn)的存儲芯片產(chǎn)能也在爆發(fā)，這個領域?qū)ο冗M光刻機的要求不如邏輯工藝，但對刻蝕、沉積要求高很多，而且也是國產(chǎn)設備的重點突破口。

國內(nèi)的長鑫、長江兩家公司分別在搞DRAM內(nèi)存及NAND閃存，今年都會陸續(xù)上市，募資都是兩三百億級別的，擴產(chǎn)力度非常大。

當前內(nèi)存及閃存價格大漲，很大一個原因就是產(chǎn)能主要掌握在美日韓企業(yè)中，少數(shù)巨頭壟斷市場顯然是不利于消費者的，而且他們很默契地在這次漲價風波中不增產(chǎn)不殺價，但是未來一旦國產(chǎn)內(nèi)存及閃存的產(chǎn)能爆發(fā)了，三星、SK海力士、美光、東芝、閃迪等公司遲早要還債的。