2月28日，國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心發(fā)文稱，2025年9月至今，受需求“爆發(fā)式”增長、產(chǎn)能“斷崖式”緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴大，存儲芯片價格持續(xù)上漲，近1個月多以來，漲幅呈現(xiàn)擴大態(tài)勢，建議關注存儲芯片對下游價格的影響。

一、近期存儲芯片價格大幅快速上漲

調(diào)研反映，截至今年1月，存儲芯片兩大主要產(chǎn)品DRAM和NAND閃存價格均創(chuàng)2016年有數(shù)據(jù)以來最高。以主流型號為例，1月DARM（DDR4 8Gb 1G*8）合約平均價格為11.5美元，比上月上漲約24%，比2025年9月上漲約83%；NAND閃存（128Gb 16G*8 MLC）合約平均價格為9.5美元，比上月上漲約65%，比2025年9月上漲近1.5倍。

從上漲原因來看，存儲芯片價格上漲主要受到需求“爆發(fā)式”增長、產(chǎn)能“斷崖式”緊缺以及下游“恐慌性”囤貨等因素影響。一是AI算力增長帶動高端存儲需求增加。集邦咨詢預計，2026年全球AI服務器出貨量同比增長超28%，加上單臺AI服務器的內(nèi)存需求達到傳統(tǒng)服務器的8倍左右，AI服務器、數(shù)據(jù)中心對高帶寬、大容量存儲芯片的需求將呈“爆發(fā)式”增長。同時，2025年四季度以來，智能手機等電子產(chǎn)品新款集中上市，對消費級存儲需求有所支撐。二是存儲巨頭生產(chǎn)策略疊加產(chǎn)能周期的剛性約束，加劇市場供應緊張。三星、SK海力士、美光三大廠商壟斷了全球90%以上的DRAM產(chǎn)能，頭部廠商采取“減產(chǎn)保價”“棄低追高”策略，將80%以上先進產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高毛利率的高帶寬內(nèi)存，減少成熟制程的產(chǎn)能比重，導致消費級存儲芯片供應緊缺。同時，存儲芯片擴產(chǎn)周期長，晶圓廠建設需1.5~2年，新增產(chǎn)能短期內(nèi)難以釋放。三是硅片、六氟化鎢、金屬等原材料價格上漲從成本端提供一定支撐。2025年，12英寸硅片、六氟化鎢、銀、銅等芯片制造原材料價格不同幅度上漲。此外，隨著市場看漲情緒升溫，消費電子、AI服務器廠商、智能汽車等下游領域的恐慌囤貨也對近期價格走高起到推波助瀾作用。

二、存儲芯片價格上漲將向下游傳導

當前，存儲芯片正處于上漲周期。年內(nèi)來看，在AI服務器算力需求持續(xù)增長的帶動下，全球存儲芯片市場供不應求局面仍將持續(xù)，存儲芯片價格將延續(xù)上漲態(tài)勢。存儲芯片價格上漲正逐步傳導至消費電子終端產(chǎn)品。隨著AI應用滲透率提升，消費者對高端化、智能化的消費電子產(chǎn)品的偏好增強，消費升級趨勢明顯，對內(nèi)存性能的要求更高。廠商通過減配的方式緩解成本上漲壓力的空間有限，上調(diào)終端價格將成為普遍趨勢。目前聯(lián)想、戴爾、惠普等主要電腦廠商均已發(fā)布調(diào)價函，漲幅普遍在500~1500元之間，小米、vivo等國產(chǎn)新發(fā)售機型相同存儲配置版本價格較上一代上漲300~500元。

受存儲芯片價格上漲及對下游的傳導影響，PPI方面，計算機、通信及其他電子設備制造業(yè)分項價格有望止跌企穩(wěn)，對PPI的拖累作用有所減弱。CPI方面，疊加提振消費政策效果持續(xù)顯現(xiàn)，通訊工具分項價格將繼續(xù)回升。