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SK海力士研发AIP制程 挑战300层以上NAND制造瓶颈
發(fā)表于：2026/2/13 上午9:05:08
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SK海力士发表HBM与HBF联用架构
發(fā)表于：2026/2/12 上午9:58:00
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高盛：全球存储器市场将经历史上最严重供应短缺
發(fā)表于：2026/2/10 下午3:20:22
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TrendForce发布最新存储产业调查报告 涨价持续
發(fā)表于：2026/2/3 上午9:20:58
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美光240亿美元新加坡NAND晶圆厂开建
發(fā)表于：2026/1/28 上午10:21:04
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苹果硬抗内存成本压力 iPhone 18系列起售价与前代持平
發(fā)表于：2026/1/28 上午9:39:57
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三星与SK海力士减产 NAND价格还要涨
發(fā)表于：2026/1/22 上午8:54:57
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消息称三星电子与SK海力士今年将缩减6.2%NAND闪存产量
發(fā)表于：2026/1/20 上午11:23:38
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大摩：传统存储芯片短缺比市场预期更久
發(fā)表于：2026/1/19 上午9:28:39
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SK海力士官方回应将退出消费级存储业务传闻
發(fā)表于：2026/1/15 上午9:02:08
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存储芯片涨价潮蔓延至下游封测领域
發(fā)表于：2026/1/12 上午11:28:18
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AI将吞噬全球两成DRAM产能 一季度将再涨价30%
發(fā)表于：2025/12/29 上午10:50:06
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三星与SK海力士启动内存扩产
發(fā)表于：2025/12/22 下午1:13:01
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NAND价格今年已暴涨246% 明年会更贵
發(fā)表于：2025/12/18 上午8:59:22
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传铠侠明年将量产332层NAND Flash
發(fā)表于：2025/12/12 上午9:03:57
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长江存储对美国国防部和商务部提起诉讼
發(fā)表于：2025/12/10 下午12:01:01
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SK海力士加速推进超300层V10 NAND闪存
發(fā)表于：2025/12/10 上午9:50:35
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日本DNP开发出1.4nm级NIL纳米压印图案化模板
發(fā)表于：2025/12/9 下午1:22:18
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三星新型FeFET 3D NAND功耗暴降96%
發(fā)表于：2025/12/3 上午9:07:36
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NAND Flash合约价全面上涨
發(fā)表于：2025/12/2 上午9:00:27
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消息称铠侠与闪迪考虑在美合作建设NAND晶圆厂
發(fā)表于：2025/11/28 上午10:57:10
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三星研发新型NAND闪存技术 功耗暴降96%
發(fā)表于：2025/11/28 上午10:47:00
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三星电子正启动存储芯片产能重大战略调整
發(fā)表于：2025/11/24 上午9:28:52
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NAND厂商切入DRAM市场面临的现实困境
發(fā)表于：2025/11/20 下午4:03:18
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闪迪计划将NAND闪存产能外包给力积电
發(fā)表于：2025/11/19 上午9:39:59
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存储厂商不增产原因曝光
發(fā)表于：2025/11/19 上午9:16:00
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消息称闪迪寻求与力积电就NAND闪存制造展开合作
發(fā)表于：2025/11/18 下午1:11:47
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存储行业高光时刻铠侠逆势业绩暴雷
發(fā)表于：2025/11/14 下午1:06:07
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三星宣布计划将FinFET制程导入NAND Flash
發(fā)表于：2025/10/24 上午9:30:30
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存储市场迎来数年超级周期 Q4全面涨价才只是开始
發(fā)表于：2025/10/21 上午10:02:22
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