nand 相關(guān)文章(377篇)
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IC Insights：2018年存儲(chǔ)規(guī)模突破1600億美元
發(fā)表于：3/16/2018 3:28:07 PM
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三星西安NAND廠啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)
發(fā)表于：3/14/2018 11:14:52 PM
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大事故！三星NAND工廠停電了
發(fā)表于：3/13/2018 7:29:26 PM
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三星竟投數(shù)十億建晶圓廠 產(chǎn)能提升望價(jià)格下降
發(fā)表于：3/13/2018 5:00:00 AM
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傳英特爾攜紫光欲顛覆NAND Flash 紫光漲逾17%
發(fā)表于：1/23/2018 5:00:00 AM
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英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片
發(fā)表于：1/16/2018 6:00:00 AM
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東芝等大廠陸續(xù)宣布擴(kuò)增NAND Flash產(chǎn)能
發(fā)表于：1/4/2018 5:00:00 AM
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中國存儲(chǔ)器芯片市場風(fēng)云迭起 誰將成為“攪局者”
發(fā)表于：12/18/2017 6:00:00 AM
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東芝大放血 下屬公司95%轉(zhuǎn)手海信
發(fā)表于：11/16/2017 6:00:00 AM
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普渡研究人員發(fā)現(xiàn)了一種用于冷卻堆疊芯片的方法
發(fā)表于：11/3/2017 4:01:23 PM
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西部數(shù)據(jù)財(cái)報(bào)搶眼 但東芝談判案或?qū)⒂绊懫銷AND供應(yīng)
發(fā)表于：11/1/2017 6:00:00 AM
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英特爾第三季度凈利猛增34% 轉(zhuǎn)型立下大功
發(fā)表于：10/31/2017 6:00:00 AM
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價(jià)格不斷上漲 “瘋狂內(nèi)存條”背后的隱憂
發(fā)表于：10/26/2017 6:00:00 AM
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭加劇與自主發(fā)展 ——IC China盤點(diǎn)2017年產(chǎn)業(yè)態(tài)勢
發(fā)表于：10/25/2017 9:35:07 AM
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2017年靠存儲(chǔ)市場拉動(dòng)全球IC市場 將實(shí)現(xiàn)逆天的22%增長
發(fā)表于：10/24/2017 6:00:00 AM
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影馳發(fā)布全新ONE SSD：首用東芝64層3D閃存
發(fā)表于：10/20/2017 6:00:00 AM
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東芝存儲(chǔ)器重啟NAND投資 聯(lián)合對抗三星
發(fā)表于：10/18/2017 4:40:02 PM
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東芝加碼上千億投資3D NAND WD是否參與仍在協(xié)議
發(fā)表于：10/13/2017 3:56:12 PM
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三星公司硬盤產(chǎn)業(yè)疲軟 試圖轉(zhuǎn)向QLC閃存生產(chǎn)
發(fā)表于：10/12/2017 6:00:00 AM
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“英特爾精尖制造日”首推全球晶體管密度最高的制程工藝
發(fā)表于：9/20/2017 6:00:00 AM
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三星電子波瀾再起 NAND芯片市場風(fēng)云變幻
發(fā)表于：9/11/2017 6:00:00 AM
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三星欲擴(kuò)大在華閃存芯片產(chǎn)能
發(fā)表于：8/31/2017 5:00:00 AM
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三星宣布將在西安內(nèi)存芯片工廠投資70億美元
發(fā)表于：8/29/2017 3:01:21 PM
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為打破存儲(chǔ)器壟斷格局而生，長江存儲(chǔ)真能續(xù)寫傳奇
發(fā)表于：8/13/2017 6:00:00 AM
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三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb
發(fā)表于：8/10/2017 6:00:00 AM
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韓國半導(dǎo)體人才跳槽中國 三星無奈向政府求助
發(fā)表于：8/8/2017 6:00:00 AM
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三星現(xiàn)在是科技界“全民公敵”了
發(fā)表于：7/31/2017 5:00:00 AM
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Gartner：存儲(chǔ)器泡沫將于2019年破裂
發(fā)表于：7/17/2017 9:11:00 AM
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超越臺(tái)積電 三星晶圓代工“芯”想能否事成
發(fā)表于：7/14/2017 6:00:00 AM
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傳被SK海力士超車 三星投180億擴(kuò)充芯片市場
發(fā)表于：7/6/2017 6:00:00 AM
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