西部數(shù)據(jù)iNAND AT EU312 UFS 嵌入式閃存盤(pán)提升可靠性、性能和容量滿(mǎn)足下一代車(chē)聯(lián)網(wǎng)對(duì)數(shù)據(jù)的需求

　　西部數(shù)據(jù)公司今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽車(chē)嵌入式閃存盤(pán)（EFD），豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車(chē)儲(chǔ)存解決方案，用以滿(mǎn)足對(duì)先進(jìn)汽車(chē)系統(tǒng)和自動(dòng)駕駛車(chē)輛的需求(如高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)ADAS)。西部數(shù)據(jù)公司iNAND AT EU312 嵌入式閃存盤(pán)的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比較此前基于e.MMC 產(chǎn)品更強(qiáng)的性能，滿(mǎn)足了汽車(chē)設(shè)備嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性要求。

　　車(chē)聯(lián)網(wǎng)需要以越來(lái)越高的容量快速可靠地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，以支持由數(shù)字集群、信息娛樂(lè)系統(tǒng)、3D地圖導(dǎo)航、遠(yuǎn)程信息處理、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)的應(yīng)用、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和其他先進(jìn)汽車(chē)系統(tǒng)生成、分析和訪問(wèn)的大量數(shù)據(jù)。 西部數(shù)據(jù)iNAND AT EU312 嵌入式閃存盤(pán)可在車(chē)輛和基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的V2X環(huán)境中運(yùn)行，這些環(huán)境不斷生成與傳輸數(shù)據(jù)流以進(jìn)行實(shí)時(shí)和離線(xiàn)數(shù)據(jù)分析。

　　西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)高級(jí)總監(jiān)Oded Sagee表示：“現(xiàn)代的車(chē)輛擁有更多豐富的數(shù)據(jù)，如機(jī)械視覺(jué)、3D地圖、多攝像頭和多傳感器的系統(tǒng)和人工智能驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)庫(kù)，因此對(duì)更大、更快、更可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求急劇增長(zhǎng)。西部數(shù)據(jù)公司具有16年的汽車(chē)存儲(chǔ)產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)，包括使用自身的NAND閃存控制器、固件和組裝測(cè)試設(shè)計(jì)出先進(jìn)的3D TLC NAND技術(shù)。西部數(shù)據(jù)公司新款 iNAND AT EU312 嵌入式閃存盤(pán)為汽車(chē)原始設(shè)備制造商（OEM）和一級(jí)制造商提供存儲(chǔ)容量、性能和可靠性，為未來(lái)移動(dòng)體驗(yàn)奠定基礎(chǔ)?！?/p>

　　西部數(shù)據(jù) iNAND AT EU312嵌入式閃存盤(pán)產(chǎn)品特性：

　　        高容量：基于3D NAND技術(shù)， 提供16GB至256GB*的容量選擇。

　　        高性能：寫(xiě)入速度高達(dá) 550 MB/s ，讀速高達(dá) 800 MB/s。**

　　        汽車(chē)質(zhì)量和可靠性：具有先進(jìn)的內(nèi)存管理固件和硬件，如穩(wěn)健的誤差校正碼（ECC）， 并符合JEDEC47、ISO26262和 AEC-Q100 二級(jí)三級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。

　　        擴(kuò)展的OEM智能特征：西部數(shù)據(jù)提供一系列智能汽車(chē)特征，如增強(qiáng)的電源故障保護(hù)、全面的內(nèi)存健康狀態(tài)監(jiān)控、增強(qiáng)的SLC LUN和OEM可配置啟動(dòng)分區(qū)。

　　西部數(shù)據(jù) iNAND AT EU312 EFD是西部數(shù)據(jù)公司優(yōu)化的車(chē)載級(jí)存儲(chǔ)解決方案系列的新品，包括其iNAND e.MMC 嵌入式閃存盤(pán)和車(chē)載級(jí)SD 卡，用來(lái)解決車(chē)聯(lián)網(wǎng)軟件生成的大量重要數(shù)據(jù)。西部數(shù)據(jù)公司目前正在向OEM客戶(hù)提供容量高達(dá) 256GB*的存儲(chǔ)解決方案樣品。