NAND 相關(guān)文章(345篇)

傳三星西安NAND Flash工廠減產(chǎn)超10%
發(fā)表于：2025/1/13 11:29:05
存儲(chǔ)巨頭鎧俠正式掛牌上市
發(fā)表于：2024/12/19 10:33:13
三星完成400層NAND Flash開發(fā)
發(fā)表于：2024/12/10 11:15:18
長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)聲明回應(yīng)借殼萬潤(rùn)科技上市傳聞
發(fā)表于：2024/12/9 9:58:30
SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門
發(fā)表于：2024/12/6 9:39:33
三星將推出400+層第10代V-NAND
發(fā)表于：2024/12/5 9:20:26
NAND閃存產(chǎn)業(yè)2024Q3整體營(yíng)收176億美元
發(fā)表于：2024/11/28 11:12:22
消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出
發(fā)表于：2024/10/30 11:22:15
Solidigm宣布2025年Q1結(jié)束前不再制造/出貨貼有英特爾標(biāo)簽產(chǎn)品
發(fā)表于：2024/10/22 9:50:11
消息稱NAND閃存芯片制造商鎧俠取消10月IPO計(jì)劃
發(fā)表于：2024/9/25 9:15:02
中國(guó)存儲(chǔ)模組制造商涌現(xiàn)大批拋貨潮
發(fā)表于：2024/9/25 8:59:07
2024Q2企業(yè)級(jí)SSD合約價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)超25%
發(fā)表于：2024/9/14 8:59:00
消息指SK海力士400+層閃存明年末量產(chǎn)就緒
發(fā)表于：2024/8/1 9:13:00
DRAM和NAND現(xiàn)貨價(jià)格下跌短期內(nèi)難以回升
發(fā)表于：2024/6/21 8:30:26
消息稱鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn)
發(fā)表于：2024/6/17 8:35:35
SK海力士宣布開發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
發(fā)表于：2024/5/9 8:28:41
消息稱三星電子NAND產(chǎn)量大增開工率重回90%高位
發(fā)表于：2024/4/22 8:50:22
消息稱三星電子本季度NAND閃存產(chǎn)能環(huán)比提升30%
發(fā)表于：2024/4/16 8:50:13
TrendForce：預(yù)估二季度NAND閃存合約價(jià)繼續(xù)上漲13～18%
發(fā)表于：2024/3/29 9:08:03
美光投資43億元擴(kuò)建西安封裝和測(cè)試工廠
發(fā)表于：2024/3/28 9:15:05
三星正研發(fā) CMM-H 混合存儲(chǔ)模組
發(fā)表于：2024/3/21 9:00:05
鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復(fù)至88%
發(fā)表于：2024/3/20 9:00:00
群聯(lián)電子警告SSD瘋狂漲價(jià)會(huì)傷害市場(chǎng)
發(fā)表于：2024/3/13 10:25:45
閃存大減產(chǎn) SSD大漲價(jià)！廠商含淚多賺25％
發(fā)表于：2024/3/8 10:00:45
NAND刻蝕設(shè)備市場(chǎng)的壟斷將被打破？
發(fā)表于：2023/7/18 14:02:17
美國(guó)要再出手，全面鎖死中國(guó)18nm以下DRAM、128層以上NAND芯片
發(fā)表于：2023/2/28 23:28:19
西部數(shù)據(jù)官宣：NAND減產(chǎn)30%！
發(fā)表于：2023/2/12 13:12:13
西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將大幅減少
發(fā)表于：2023/2/8 7:06:52
三星已連續(xù) 30 年是全球第一大 DRAM 廠商，連續(xù) 20 年最大 NAND 閃存廠商
發(fā)表于：2023/1/29 18:37:05
美光開始出貨業(yè)界首款采用 232 層 NAND 技術(shù)的消費(fèi)級(jí) SSD
發(fā)表于：2022/12/8 9:29:12

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