在人工智能（AI）需求持續(xù)爆發(fā)的影響下，2025年全球DRAM與NAND Flash市場持續(xù)供不應求、價格暴漲。隨著即將進入2026年，業(yè)界預期一季度DRAM合約價格將至少再漲30%，其中DDR4漲幅更是將超過50%，凸顯市場供需結(jié)構仍處于高度緊繃狀態(tài)。2026年1月，NAND Flash價格漲幅將達10％-20%。

DDR4明年一季度價格漲幅或超50%

從DRAM市場來看，由于三大DRAM原廠計劃逐步停產(chǎn)DDR4，并持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤率更高的面向AI數(shù)據(jù)中心應用的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5等產(chǎn)品，DDR4相關產(chǎn)品的供應極為緊缺，這也導致DDR4價格漲勢尤為明顯。

市場數(shù)據(jù)顯示，以DDR4 8Gb（1G×8、3200）為例，2025年第四季合約價格相比第三季增長了42.9％，現(xiàn)貨價格更大漲197％，反映DDR4供需失衡程度持續(xù)擴大。預計2026年第一季DDR4合約價格持續(xù)大漲50%達到13.5美元（2025年6月時的合約價才4.12美元左右），逐步接近現(xiàn)貨價格。

DDR4價格之所以出現(xiàn)如此劇烈的上漲，一方面是由于上游原廠的供應減少；另一方面則是由于AI數(shù)據(jù)中心需求所造成的產(chǎn)能排擠效應，這不僅影響到了DDR4的產(chǎn)能，也影響到了面向消費電子市場的DDR5的產(chǎn)能。所以，當部分客戶由于DDR4缺貨積極將產(chǎn)品設計轉(zhuǎn)向DDR5時，依然遇到了DDR5緊缺和漲價問題，迫使相關客戶又不得不退回DDR4，這也加劇了DDR4價格的上漲。

隨著價格大幅上揚，DDR4的獲利結(jié)構亦出現(xiàn)明顯改善。市場估算，2026年第一季DDR4 8Gb產(chǎn)品合約價的毛利率有望逼近50％，與HBM約60％～70％的毛利率差距明顯縮小，并達到與DDR5的毛利率接近的水平。

這一變化，也促使部分部分DRAM原廠重新評估DDR4的停產(chǎn)（EOL）計劃。最新的消息顯示，三星對DDR4 停產(chǎn)可能將推遲到2026年底，并提高與客戶簽訂中長期合約的意愿。傳聞三星2026年第一季將與特定客戶簽訂NCNR長期供貨合約，即“不得取消或更改”的合約，以確保三星產(chǎn)能調(diào)度獲得最大利潤，且相關客戶也主要是應用于服務器的訂單。同樣，SK海力士也將會將DDR4的停產(chǎn)延后至2026年。

而專注于DDR4等利基市場的存儲廠商南亞科技和華邦電子則積極地啟動新一波資本支出規(guī)劃以擴大產(chǎn)能，中長期擴產(chǎn)金額分別達到1000億億元新臺幣和400億新臺幣，但新增產(chǎn)能最快仍須至2027年后才會逐步開出，短期內(nèi)供給難以有效緩解。

AI需求將消耗20% DRAM產(chǎn)能，DDR5價格將持續(xù)上漲

同樣，DDR5市場供需狀況也非常吃緊。由于AI服務器與高性能計算平臺大量吸納先進制程產(chǎn)能，留給面向消費類市場的DDR5供應比重持續(xù)下降。業(yè)界預期，2026年第一季DDR5的缺貨風險甚至將高于DDR4，價格波動幅度可能進一步放大。

目前AI競賽重心正從“訓練”快速轉(zhuǎn)向“推理”，而隨著云端推理需求暴增，對于面向AI服務器的高速內(nèi)存芯片（HBM、GDDR7）需求大漲。關鍵原因在于推理時需要保存大量“中間狀態(tài)數(shù)據(jù)”，使單一使用者或單一AI代理的內(nèi)存容量需求倍數(shù)放大。

以“100萬Token”的長上下文情境為例，即便采用FP8（8-bit Floating Point）等較省容量的格式，推理過程仍可能需要約60GB高速DRAM保存中間狀態(tài)；若采用FP16，需求可能翻倍到100GB以上。相較目前常見的8K Token約1GB，等同出現(xiàn)約60倍的增長，形成AI擴張的隱形成本。

以Google（Gemini）、AWS（Bedrock）與OpenAI（ChatGPT）等三大云端平臺預計，2026年推理端的高性能DRAM需求合計約750PB，這主要由HBM與GDDR7承擔。但實際落地還需備用與安全冗余，使有效的DRAM需求推升至約1.5EB。再加上Meta、Apple的私有云與中國大陸市場約800PB高速DRAM需求，及下一代模型訓練所需的高速DRAM需求約500PB。據(jù)此，業(yè)績預計，2026年云端GPU高速DRAM總需求上看3.0EB。

值得注意的是，3.0EB并不等于只消耗3.0EB的DRAM產(chǎn)能，高速DRAM更“消耗晶圓產(chǎn)能”。業(yè)界常用折算方式估計：1GB HBM約等效消耗4GB標準DRAM產(chǎn)能、1GB GDDR7約等效1.7GB標準DRAM產(chǎn)能。

以2026年全球DRAM產(chǎn)能約40EB推估，AI所需的高性能DRAM占比將達到接近20%；而DRAM產(chǎn)能同比增長僅約10%至15%，勢將排擠PC、手機與傳統(tǒng)服務器DDR5等標準型DRAM供給，缺貨與價格上行壓力同步升溫。

在此趨勢下，DRAM原廠更愿意將產(chǎn)能將投入HBM、GDDR7等高附加價值產(chǎn)品，傳統(tǒng)DRAM（含DDR4／DDR5）產(chǎn)能更容易被擠壓，市場也可能面臨更明顯的漲價壓力。

明年1月NAND Flash價格將上漲超10%

雖然AI市場對于DRAM需求增長更大，但是在AI推動的Enterprise SSD（企業(yè)級SSD）需求的帶動下，NAND Flash供應也持續(xù)緊繃，價格也是在持續(xù)上漲。

根據(jù)TrendForce的調(diào)查，2025年11月整體NAND Flash需求持續(xù)受AI應用與企業(yè)級SSD訂單強力拉動，原廠優(yōu)先分配產(chǎn)能給獲利能力較好的高階和企業(yè)級產(chǎn)品，且舊制程產(chǎn)能快速收斂，NAND Flash晶圓供應情況更加緊繃，導致十一月主流wafer合約價全面大幅上漲，各類產(chǎn)品平均月漲幅可達20%至60%以上，漲勢快速擴散至所有容量段。

比如，1Tb TLC 因Enterprise SSD需求持續(xù)成長，供給短缺最為嚴重，11月均價大幅上漲。512Gb TLC因舊制程轉(zhuǎn)產(chǎn)導致供應急縮，加上市場需求穩(wěn)健，推升其價格漲幅成為11月TLC系列產(chǎn)品之冠，月增超過65%。256Gb TLC受舊制程退出影響，供給量再度下滑，價格持續(xù)顯著成長。由于企業(yè)級高容量產(chǎn)品需求爆發(fā)，加上冷儲存應用出貨加速，QLC供應明顯吃緊，1Tb QLC十一月均價也大幅上漲。MLC產(chǎn)品有工控及消費性產(chǎn)品需求支撐，均價持續(xù)上漲。

在企業(yè)級SSD需求快速升溫的帶動下，NAND Flash原廠持續(xù)采取“優(yōu)先供應高毛利產(chǎn)品”策略，漲勢將自2025年底合約價開始擴散，并將于2026年初全面反映至消費級SSD與UFS行動儲存產(chǎn)品。

市場預期，2026年1月NAND Flash價格漲幅約落在10％～20％。