在人工智能（AI）需求持續(xù)爆發(fā)的影響下，2025年全球DRAM與NAND Flash市場持續(xù)供不應(yīng)求、價(jià)格暴漲。隨著即將進(jìn)入2026年，業(yè)界預(yù)期一季度DRAM合約價(jià)格將至少再漲30%，其中DDR4漲幅更是將超過50%，凸顯市場供需結(jié)構(gòu)仍處于高度緊繃狀態(tài)。2026年1月，NAND Flash價(jià)格漲幅將達(dá)10％-20%。

DDR4明年一季度價(jià)格漲幅或超50%

從DRAM市場來看，由于三大DRAM原廠計(jì)劃逐步停產(chǎn)DDR4，并持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤率更高的面向AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5等產(chǎn)品，DDR4相關(guān)產(chǎn)品的供應(yīng)極為緊缺，這也導(dǎo)致DDR4價(jià)格漲勢(shì)尤為明顯。

市場數(shù)據(jù)顯示，以DDR4 8Gb（1G×8、3200）為例，2025年第四季合約價(jià)格相比第三季增長了42.9％，現(xiàn)貨價(jià)格更大漲197％，反映DDR4供需失衡程度持續(xù)擴(kuò)大。預(yù)計(jì)2026年第一季DDR4合約價(jià)格持續(xù)大漲50%達(dá)到13.5美元（2025年6月時(shí)的合約價(jià)才4.12美元左右），逐步接近現(xiàn)貨價(jià)格。

DDR4價(jià)格之所以出現(xiàn)如此劇烈的上漲，一方面是由于上游原廠的供應(yīng)減少；另一方面則是由于AI數(shù)據(jù)中心需求所造成的產(chǎn)能排擠效應(yīng)，這不僅影響到了DDR4的產(chǎn)能，也影響到了面向消費(fèi)電子市場的DDR5的產(chǎn)能。所以，當(dāng)部分客戶由于DDR4缺貨積極將產(chǎn)品設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向DDR5時(shí)，依然遇到了DDR5緊缺和漲價(jià)問題，迫使相關(guān)客戶又不得不退回DDR4，這也加劇了DDR4價(jià)格的上漲。

隨著價(jià)格大幅上揚(yáng)，DDR4的獲利結(jié)構(gòu)亦出現(xiàn)明顯改善。市場估算，2026年第一季DDR4 8Gb產(chǎn)品合約價(jià)的毛利率有望逼近50％，與HBM約60％～70％的毛利率差距明顯縮小，并達(dá)到與DDR5的毛利率接近的水平。

這一變化，也促使部分部分DRAM原廠重新評(píng)估DDR4的停產(chǎn)（EOL）計(jì)劃。最新的消息顯示，三星對(duì)DDR4 停產(chǎn)可能將推遲到2026年底，并提高與客戶簽訂中長期合約的意愿。傳聞三星2026年第一季將與特定客戶簽訂NCNR長期供貨合約，即“不得取消或更改”的合約，以確保三星產(chǎn)能調(diào)度獲得最大利潤，且相關(guān)客戶也主要是應(yīng)用于服務(wù)器的訂單。同樣，SK海力士也將會(huì)將DDR4的停產(chǎn)延后至2026年。

而專注于DDR4等利基市場的存儲(chǔ)廠商南亞科技和華邦電子則積極地啟動(dòng)新一波資本支出規(guī)劃以擴(kuò)大產(chǎn)能，中長期擴(kuò)產(chǎn)金額分別達(dá)到1000億億元新臺(tái)幣和400億新臺(tái)幣，但新增產(chǎn)能最快仍須至2027年后才會(huì)逐步開出，短期內(nèi)供給難以有效緩解。

AI需求將消耗20% DRAM產(chǎn)能，DDR5價(jià)格將持續(xù)上漲

同樣，DDR5市場供需狀況也非常吃緊。由于AI服務(wù)器與高性能計(jì)算平臺(tái)大量吸納先進(jìn)制程產(chǎn)能，留給面向消費(fèi)類市場的DDR5供應(yīng)比重持續(xù)下降。業(yè)界預(yù)期，2026年第一季DDR5的缺貨風(fēng)險(xiǎn)甚至將高于DDR4，價(jià)格波動(dòng)幅度可能進(jìn)一步放大。

目前AI競賽重心正從“訓(xùn)練”快速轉(zhuǎn)向“推理”，而隨著云端推理需求暴增，對(duì)于面向AI服務(wù)器的高速內(nèi)存芯片（HBM、GDDR7）需求大漲。關(guān)鍵原因在于推理時(shí)需要保存大量“中間狀態(tài)數(shù)據(jù)”，使單一使用者或單一AI代理的內(nèi)存容量需求倍數(shù)放大。

以“100萬Token”的長上下文情境為例，即便采用FP8（8-bit Floating Point）等較省容量的格式，推理過程仍可能需要約60GB高速DRAM保存中間狀態(tài)；若采用FP16，需求可能翻倍到100GB以上。相較目前常見的8K Token約1GB，等同出現(xiàn)約60倍的增長，形成AI擴(kuò)張的隱形成本。

以Google（Gemini）、AWS（Bedrock）與OpenAI（ChatGPT）等三大云端平臺(tái)預(yù)計(jì)，2026年推理端的高性能DRAM需求合計(jì)約750PB，這主要由HBM與GDDR7承擔(dān)。但實(shí)際落地還需備用與安全冗余，使有效的DRAM需求推升至約1.5EB。再加上Meta、Apple的私有云與中國大陸市場約800PB高速DRAM需求，及下一代模型訓(xùn)練所需的高速DRAM需求約500PB。據(jù)此，業(yè)績預(yù)計(jì)，2026年云端GPU高速DRAM總需求上看3.0EB。

值得注意的是，3.0EB并不等于只消耗3.0EB的DRAM產(chǎn)能，高速DRAM更“消耗晶圓產(chǎn)能”。業(yè)界常用折算方式估計(jì)：1GB HBM約等效消耗4GB標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)能、1GB GDDR7約等效1.7GB標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)能。

以2026年全球DRAM產(chǎn)能約40EB推估，AI所需的高性能DRAM占比將達(dá)到接近20%；而DRAM產(chǎn)能同比增長僅約10%至15%，勢(shì)將排擠PC、手機(jī)與傳統(tǒng)服務(wù)器DDR5等標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供給，缺貨與價(jià)格上行壓力同步升溫。

在此趨勢(shì)下，DRAM原廠更愿意將產(chǎn)能將投入HBM、GDDR7等高附加價(jià)值產(chǎn)品，傳統(tǒng)DRAM（含DDR4／DDR5）產(chǎn)能更容易被擠壓，市場也可能面臨更明顯的漲價(jià)壓力。

明年1月NAND Flash價(jià)格將上漲超10%

雖然AI市場對(duì)于DRAM需求增長更大，但是在AI推動(dòng)的Enterprise SSD（企業(yè)級(jí)SSD）需求的帶動(dòng)下，NAND Flash供應(yīng)也持續(xù)緊繃，價(jià)格也是在持續(xù)上漲。

根據(jù)TrendForce的調(diào)查，2025年11月整體NAND Flash需求持續(xù)受AI應(yīng)用與企業(yè)級(jí)SSD訂單強(qiáng)力拉動(dòng)，原廠優(yōu)先分配產(chǎn)能給獲利能力較好的高階和企業(yè)級(jí)產(chǎn)品，且舊制程產(chǎn)能快速收斂，NAND Flash晶圓供應(yīng)情況更加緊繃，導(dǎo)致十一月主流wafer合約價(jià)全面大幅上漲，各類產(chǎn)品平均月漲幅可達(dá)20%至60%以上，漲勢(shì)快速擴(kuò)散至所有容量段。

比如，1Tb TLC 因Enterprise SSD需求持續(xù)成長，供給短缺最為嚴(yán)重，11月均價(jià)大幅上漲。512Gb TLC因舊制程轉(zhuǎn)產(chǎn)導(dǎo)致供應(yīng)急縮，加上市場需求穩(wěn)健，推升其價(jià)格漲幅成為11月TLC系列產(chǎn)品之冠，月增超過65%。256Gb TLC受舊制程退出影響，供給量再度下滑，價(jià)格持續(xù)顯著成長。由于企業(yè)級(jí)高容量產(chǎn)品需求爆發(fā)，加上冷儲(chǔ)存應(yīng)用出貨加速，QLC供應(yīng)明顯吃緊，1Tb QLC十一月均價(jià)也大幅上漲。MLC產(chǎn)品有工控及消費(fèi)性產(chǎn)品需求支撐，均價(jià)持續(xù)上漲。

在企業(yè)級(jí)SSD需求快速升溫的帶動(dòng)下，NAND Flash原廠持續(xù)采取“優(yōu)先供應(yīng)高毛利產(chǎn)品”策略，漲勢(shì)將自2025年底合約價(jià)開始擴(kuò)散，并將于2026年初全面反映至消費(fèi)級(jí)SSD與UFS行動(dòng)儲(chǔ)存產(chǎn)品。

市場預(yù)期，2026年1月NAND Flash價(jià)格漲幅約落在10％～20％。