1 月 20 日消息，韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間今日報道稱，根據(jù)其從 Omdia 獲取的數(shù)據(jù)，合計占據(jù) NAND 產(chǎn)能 60+% 的兩大原廠三星電子和 SK 海力士今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇 NAND 供應(yīng)的短缺。

三星電子計劃今年累計投入 468 萬片 NAND 晶圓，而 2025 年是 490 萬片；SK 海力士今年產(chǎn)能規(guī)模為 170 萬片，而 2025 年是 190 萬片。兩家企業(yè)今年合計產(chǎn)能同比下降約 6.2%。

與此同時，AI 基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)對 NAND 閃存需求反而一年勝過一年：根據(jù)花旗的數(shù)據(jù)，英偉達的 Vera Rubin 超級芯片機架系統(tǒng)需要 1152TB 的固態(tài)硬盤，是上代 Grace Blackwell 的 10 倍以上。

由于上一輪存儲周期中遭受了嚴重的虧損，三星電子和 SK 海力士目前在 NAND 領(lǐng)域采用“利潤最大化”的策略，沒有理由大幅提高閃存產(chǎn)能。