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存储芯片涨价潮蔓延至下游封测领域

2026-01-12
來源:芯智讯
關(guān)鍵詞: 存储芯片 封测领域 DRAM NAND

1月12日消息,據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道,存儲芯片缺貨、漲價熱潮,已經(jīng)蔓延至下游封測領(lǐng)域

受益于DRAMNAND Flash大廠加足馬力沖刺出貨,力成、華東、南茂等存儲器封測廠訂單涌進,產(chǎn)能利用率直逼滿載,近期陸續(xù)調(diào)升封測價格,調(diào)幅最高達30%。 相關(guān)封測廠透露,訂單真的太滿,后續(xù)不排除啟動第二波漲價。

力成、華東、南茂等存儲封測報價調(diào)漲后,漲價效益將從首季起逐步反映在財報數(shù)字,若后續(xù)再啟動第二波漲價,今年將成為存儲器封測業(yè)價量齊揚的一年,相關(guān)業(yè)者2026年業(yè)績將吞大補丸。

對于漲價議題,遭點名的存儲封測廠均相當(dāng)?shù)驼{(diào),僅強調(diào)報價會依照市場需求,進行彈性調(diào)整。

業(yè)界分析,隨著三星、SK海力士、美光等三大存儲芯片原廠全力擴充AI用的HBM產(chǎn)能,資源集中在先進制程與先進封裝,同步排擠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM與NAND芯片產(chǎn)出,使得舊規(guī)格產(chǎn)品供給轉(zhuǎn)趨吃緊。

伴隨云端、工控等需求回溫,DDR4、DDR5與NAND芯片拉貨動能強勁,進一步點火后段封測需求,中國臺灣主要存儲封測廠力成、南茂、華東產(chǎn)能利用率均已逼近滿載,因而順勢調(diào)升報價,漲幅最高30%,不排除后續(xù)視供需狀況,再啟動第二波漲價。

力成為全球DRAM、NAND芯片封測龍頭。 供應(yīng)鏈透露,力成目前DRAM封測產(chǎn)能利用率幾近滿載,NAND產(chǎn)能利用率亦維持高檔,客戶多為國際一線內(nèi)存大廠,本波漲價效應(yīng)有望直接反映在毛利率與獲利,營運表現(xiàn)堪稱族群指標(biāo)。

華東以利基型存儲封測為主,過去一年受工控與特殊應(yīng)用需求調(diào)整影響較深,不過現(xiàn)階段工控客戶已陸續(xù)恢復(fù)下單,庫存去化告一段落,需求回到正常水位以上。 在整體存儲器產(chǎn)業(yè)邁入“景氣超級循環(huán)”大環(huán)境下,華東產(chǎn)能利用率明顯拉升,訂單能見度轉(zhuǎn)強,后市可期。

南茂則是此次傳統(tǒng)DRAM市況復(fù)蘇的代表性受益封測廠。南茂的NAND產(chǎn)品線于營收比重相對較低,但在DRAM領(lǐng)域著墨甚深,目前營收結(jié)構(gòu)中,DDR4約占七至八成,是支撐營運的核心產(chǎn)品。


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