4月23日消息，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會于近日正式發(fā)布LPDDR6低功耗內(nèi)存的下一版本路線圖。其中最令人矚目的是：LPDDR6單顆內(nèi)存芯片的容量有望達(dá)到512GB。

這一容量規(guī)格直接大幅超越當(dāng)前主流服務(wù)器 DDR5。目前主流服務(wù)器 DDR5 單根容量普遍停留在64GB—128GB，單顆die （晶粒）容量差距更為懸殊。

LPDDR6之所以能實現(xiàn)如此夸張的容量突破，核心在于JEDEC新增了更窄的x6子通道模式，讓單個封裝能容納更多內(nèi)存die。

再配合更先進(jìn)的制程工藝帶來單顆die的密度提升，最終使單顆芯片就能承載以往整根內(nèi)存條才能達(dá)到的容量。

這表示未來的AI服務(wù)器將能輕松構(gòu)建TB級內(nèi)存池，大幅減少數(shù)據(jù)在內(nèi)存與固態(tài)硬盤之間的痛苦“搬家”，進(jìn)而讓模型推理的執(zhí)行效率翻倍提升。

除了容量，LPDDR6的傳統(tǒng)優(yōu)勢愈發(fā)顯著。單顆16Gb的基礎(chǔ)LPDDR6工作速度已超過10.7Gbps，相比上一代處理速度提升33%，核心功耗同步降低超過20%。

同時，基于LPDDR6的SOCAMM2緊湊型模塊標(biāo)準(zhǔn)已在同步開發(fā)中，用以替代傳統(tǒng)又厚又大的DDR5條，為AI服務(wù)器提供更高集成度的低功耗內(nèi)存底座。

對普通游戲和創(chuàng)作玩家而言，LPDDR6的進(jìn)階不在一蹴而就，但未來三年內(nèi)，高端游戲本、平板或AIPC都有望獲得超大內(nèi)存。

更關(guān)鍵的是，在保持輕薄續(xù)航的前提下，端側(cè)運行數(shù)百億參數(shù)的大模型甚至大型仿真渲染將成為常態(tài)。