4 月 22 日消息，中國臺灣地區(qū)半導(dǎo)體企業(yè)力晶積成電子制造股份公司（力積電、PSMC）昨日舉行 2026 年第 1 季度線上法人說明會。該企業(yè)會上表示已與美光啟動 1P 制程 DRAM 內(nèi)存的聯(lián)合研發(fā)，預(yù)計 2027Q1 導(dǎo)入設(shè)備、2028H1 試產(chǎn)、2028H2 量產(chǎn)。

1P 制程的單位晶圓產(chǎn)出是力積電現(xiàn)有工藝的 2.5 倍，可為力積電未來利基型 DRAM 業(yè)務(wù)的發(fā)展打下堅(jiān)實(shí)技術(shù)基礎(chǔ)。

而力積電受美光委托的 PWF（后端晶圓制造）業(yè)務(wù)則預(yù)計 2026Q3 啟動設(shè)備導(dǎo)入、2026Q4 試產(chǎn)、2027Q4 量產(chǎn)，目標(biāo)月產(chǎn)能 2 萬片晶圓。

力積電將 3D AI Foundry 視為重要的未來業(yè)務(wù)增長點(diǎn)，其高密度電容 IPD（整合式被動元件）2.5D 中介層已通過國際大廠認(rèn)證，即將量產(chǎn)；WoW 四層晶圓堆疊認(rèn)證進(jìn)程順利，有望 2027 年小規(guī)模量產(chǎn)。

該企業(yè)已在今年 1 月上調(diào)了 12 英寸 DDI 與圖像傳感器代工價格，漲幅在 10% 以上；而在今年 4 月又大幅提升了 NAND 閃存晶圓代工的投片價格。其有望在年內(nèi)完成 MLC NAND 工藝開發(fā)，2027H2 可供客戶設(shè)計定案.