CIS廠商晶相光1月29日宣布,公司于1月29日下午1:45接獲晶圓代工廠力積電通知,后者將于今年第二季度起,停止接單生產(chǎn)晶相光的部分主要產(chǎn)品。這一變動預(yù)計(jì)將對晶相光主要產(chǎn)品產(chǎn)能規(guī)劃與出貨時(shí)程造成一定影響。
據(jù)悉,力積電作出這項(xiàng)決定的原因在于運(yùn)營策略調(diào)整,其將專注于存儲、電源管理等技術(shù)。

半個(gè)月前,美光與力積電簽署獨(dú)家意向書,計(jì)劃收購其位于臺灣苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠,交易預(yù)計(jì)在今年第二季度完成。除了廠房交易之外,美光將預(yù)約力積電提供HBM后段先進(jìn)封裝代工產(chǎn)能,并協(xié)助力積電在新竹P3廠精進(jìn)利基型DRAM制程技術(shù)。
在AI熱潮下,產(chǎn)能排擠效應(yīng)日漸嚴(yán)重。
TrendForce近期晶圓代工調(diào)查顯示,臺積電與三星2025年已啟動減產(chǎn)8英寸,預(yù)計(jì)2026年8英寸晶圓代工產(chǎn)能將收窄2.4%;同時(shí)AI服務(wù)器與邊緣AI等帶動AI電源芯片需求持續(xù)增長,預(yù)計(jì)2026年全球8英寸平均產(chǎn)能利用率將順勢上升至85%-90%,明顯優(yōu)于2025年的75%-80%。
在這種情況下,部分晶圓代工廠看好2026年8英寸產(chǎn)能吃緊,已通知客戶將漲價(jià),漲幅由5%-20%不等,與2025年僅針對部分舊制程或技術(shù)平臺客戶補(bǔ)漲不同,此次為不分客戶、不分制程平臺的全面調(diào)價(jià)。不過基于消費(fèi)性終端隱憂,以及存儲器與先進(jìn)制程漲價(jià)擠壓外圍IC成本等因素,TrendForce認(rèn)為8英寸晶圓價(jià)格的實(shí)際漲幅可能較為收斂。
值得一提的是,中芯國際去年末已通知明確對8英寸BCD工藝代工提價(jià)約10%,原因包括AI服務(wù)器等產(chǎn)品需要大量電源芯片,占用BCD產(chǎn)能;臺積電收縮8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到高端制程,導(dǎo)致供應(yīng)端出現(xiàn)缺口;以金、銅為主要代表的金屬材料價(jià)格維持高位,也對代工價(jià)格形成影響。
申港證券指出,存儲漲價(jià)預(yù)期上調(diào),需求增長將直接帶動存儲代工產(chǎn)能緊張。產(chǎn)能利用率提升、代工漲價(jià)預(yù)期下,代工企業(yè)中芯國際、華虹公司有望持續(xù)受益。

