11 月 27 日消息，三星宣布其研究團(tuán)隊(duì)在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，成功開(kāi)發(fā)出一種新型 NAND 閃存結(jié)構(gòu)，可將功耗降低逾 90%。該成果有望重塑人工智能數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及其他依賴存儲(chǔ)芯片的終端產(chǎn)品的未來(lái)。

據(jù) ETNews 報(bào)道，三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT）主導(dǎo)研發(fā)了這一超低功耗 NAND 閃存技術(shù)。該新型結(jié)構(gòu)創(chuàng)新性地融合了鐵電材料與氧化物半導(dǎo)體，相關(guān)研究成果已發(fā)表于全球頂尖的多學(xué)科科學(xué)期刊《自然》（Nature）。

據(jù)了解，NAND 閃存是一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，即使斷電亦可長(zhǎng)期保存大量數(shù)據(jù)，其工作原理是通過(guò)向存儲(chǔ)單元注入電子實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫(xiě)入。為提升存儲(chǔ)密度，業(yè)界普遍采用堆疊更多存儲(chǔ)層的方式構(gòu)建芯片，但這同時(shí)也顯著增加了數(shù)據(jù)讀寫(xiě)過(guò)程中的能耗，尤其在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景中，功耗問(wèn)題已成為亟待解決的關(guān)鍵瓶頸。

而三星研究團(tuán)隊(duì)成功攻克了這一難題。氧化物半導(dǎo)體因閾值電壓不穩(wěn)定而難以控制，過(guò)往被視為技術(shù)障礙；然而，研究團(tuán)隊(duì)另辟蹊徑，將其與鐵電結(jié)構(gòu)協(xié)同設(shè)計(jì)，變“劣勢(shì)”為優(yōu)勢(shì)：鐵電材料具備自維持電極化特性，無(wú)需持續(xù)供電即可保持狀態(tài)。

得益于此項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，新架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 96% 的功耗降幅。三星表示，該突破完全依托其內(nèi)部自主研發(fā)，由三星電子 SAIT 與半導(dǎo)體研究所共計(jì) 34 名研究人員共同完成。

“我們已驗(yàn)證了實(shí)現(xiàn)超低功耗 NAND 閃存的可行性?！比请娮?SAIT 研究員、本研究第一作者 Yoo Si-jeong 表示，“在 AI 生態(tài)系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的角色日益關(guān)鍵。未來(lái)我們將持續(xù)推進(jìn)后續(xù)研究，目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)該技術(shù)的商業(yè)化落地。”

與此同時(shí)，三星正著力提升其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)盈利能力。面對(duì) DDR5、LPDDR5X 及 GDDR7 等 DRAM 產(chǎn)品需求持續(xù)攀升及價(jià)格上漲的市場(chǎng)環(huán)境，公司將重點(diǎn)優(yōu)化高附加值產(chǎn)品的供應(yīng)策略，以強(qiáng)化盈利結(jié)構(gòu)。