4月22日消息，據(jù)韓國(guó)媒體IT Chosun報(bào)道，三星電子在獲得試產(chǎn)前批準(zhǔn)（PRA）后，于今年一季度進(jìn)行1d DRAM（第七代10nm級(jí)制程）的試產(chǎn)，但因良率未達(dá)內(nèi)部目標(biāo)，恐將無(wú)限期延后下一代HBM內(nèi)存的量產(chǎn)計(jì)劃。

三星電子內(nèi)部人士透露，在1d DRAM良率達(dá)標(biāo)前，已無(wú)限期延后量產(chǎn)，目前尚未確定恢復(fù)時(shí)間，“他們正專(zhuān)注于全面檢視制程路線圖，以進(jìn)一步提升良率”。另一方面，三星電子高層也對(duì)1d DRAM芯片的良率和投資回報(bào)進(jìn)行評(píng)價(jià)，最終確認(rèn)目前不適合量產(chǎn)，也不強(qiáng)行推進(jìn)生產(chǎn)線運(yùn)作。

根據(jù)預(yù)計(jì)，三星電子的1d DRAM技術(shù)將在未來(lái)HBM藍(lán)圖中扮演關(guān)鍵角色，預(yù)計(jì)將應(yīng)用于三星第九代HBM產(chǎn)品HBM5E。

1c DRAM將應(yīng)用于三星的三代HBM產(chǎn)品，包括HBM4、HBM4E與HBM5，但從HBM5E開(kāi)始，穩(wěn)定的D1d供應(yīng)至關(guān)重要。其中，HBM4預(yù)計(jì)今年稍晚時(shí)推出，并搭載于英偉達(dá)的Vera Rubin與AMD的MI400平臺(tái)；HBM4E則預(yù)期應(yīng)用于Rubin Ultra與MI500加速器。至于HBM5及定制化設(shè)計(jì)，則可能導(dǎo)入英偉達(dá)Feynman系列及其他AI芯片。

報(bào)道指出，由于量產(chǎn)計(jì)劃落空，三星電子為該計(jì)劃特派的約400名人員組成的1d DRAM量產(chǎn)工作小組實(shí)際已處于閑置狀態(tài)。但由于尚未獲得產(chǎn)品驗(yàn)收批準(zhǔn)，關(guān)鍵工程師目前僅在研發(fā)階段進(jìn)行信息交流。

相比之下，三星電子的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士已經(jīng)在1d DRAM技術(shù)上取得了良率突破，目標(biāo)2026年下半年完成開(kāi)發(fā)。

目前三星也正加大投資，在韓國(guó)溫陽(yáng)（Onyang）建設(shè)一座大型晶圓廠，規(guī)模相當(dāng)于四個(gè)足球場(chǎng)，將用于生產(chǎn)包括HBM在內(nèi)的下一代DRAM產(chǎn)品。該設(shè)施將負(fù)責(zé)封裝、測(cè)試、物流與質(zhì)量控制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，以支撐穩(wěn)定量產(chǎn)。