2月10日消息，高盛日前發(fā)布的報告指出，2026-2027年全球存儲器市場將經(jīng)歷史上最嚴重的供應短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品類供需缺口均大幅擴大。

其中2026年DRAM缺口將創(chuàng)15年之最，NAND短缺規(guī)模亦達歷史高位，即便消費電子需求大幅下滑，服務器市場的瘋狂吞噬能力仍將維持緊張格局。

在DRAM方面，高盛預測2026年和2027年DRAM供不應求幅度將達到4.9%和2.5%，遠超此前預期的3.3%和1.1%，其中2026年的供應短缺將是過去15年以來最嚴重的一次。

主要原因在于服務器需求的爆發(fā)式增長，高盛將2026/2027年服務器DRAM（不含HBM）需求預期上調(diào)6%/10%，預計將分別達到39%和22%。

如果將HBM計算在內(nèi)，服務器相關(guān)DRAM需求將占全球總需求的53%和57%。

NAND市場同樣不容樂觀，預計2026年/2027年NAND供不應求幅度為4.2%/2.1%，這將是NAND行業(yè)歷史上最大規(guī)模的短缺之一。

企業(yè)級SSD的需求是主因，高盛將2026年/2027年企業(yè)級SSD需求預期上調(diào)14%/14%，預計增長率將達到58%/23%，在全球NAND需求中的占比將升至36%/39%。

至于移動和PC端，預計2026年移動NAND需求將首次出現(xiàn)零增長，PC端2026年同樣預計零增長，均為歷史最低水平。

而在AI領(lǐng)域不可或缺的HBM方面，高盛將其2027年市場規(guī)模上調(diào)至750億美元，盡管三星和SK海力士已在全速擴產(chǎn)，但仍趕不上GPU和ASIC芯片需求的增長速度，預計這兩年的供需缺口將保持在5.1%和4.0%的高位。