4 月 16 日消息，韓媒 ChosunBiz 當?shù)貢r間今晨報道稱，三星電子計劃在 5 月生產(chǎn)首批性能可滿足客戶要求的 HBM4E 內(nèi)存樣品，為 2027~2028 年的供應(yīng)打下基礎(chǔ)。
三星電子在今年早些時候的 NVIDIA 英偉達 GTC 2026 上公開展示了 HBM4E 內(nèi)存，可實現(xiàn) 16Gbps 的每 Pin 數(shù)據(jù)傳輸速率，整體帶寬達 4.0TB/s。不過業(yè)內(nèi)人士認為那時的樣品僅是用于展示三星電子技術(shù)實力的演示樣品。
與 HBM4 一樣，三星電子的 HBM4E 將采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die，不過工藝細節(jié)將有所改進。三星晶圓代工計劃在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能樣品 Base Die 的生產(chǎn)，交付存儲器業(yè)務(wù)以進行后續(xù) 3D 封裝工序。
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