3月6日消息，據(jù)Tom's Hardware報道，市場研究機構DigiTimes近日發(fā)布的2026年2月存儲市場數(shù)據(jù)顯示，全球存儲現(xiàn)貨市場價格整體上行，其中NAND閃存晶圓價格單月飆升25%，成為當月漲幅最大的品類。供需缺口持續(xù)擴大的背景下，存儲行業(yè)價格波動加劇，相關機構警示，若此趨勢延續(xù)，行業(yè)或面臨周期性發(fā)展風險。

數(shù)據(jù)顯示，2月存儲產品價格呈現(xiàn)差異化上漲態(tài)勢。DRAM產品中，DDR5 16G（2Gx8）芯片平均價格漲至39美元，環(huán)比上漲7.4%；DDR4市場表現(xiàn)分化，16Gb（2Gx8）微漲0.26%至78.10美元，8Gb（1Gx8）上漲6.8%至33美元，相較1月DRAM產品普遍20%至30%的漲幅，DDR4漲勢明顯放緩；DDR3 4Gb（512Mx8）芯片價格也上漲7.5%，達到5.70美元。

NAND閃存市場價格漲幅更為顯著，1Tb TLC閃存晶圓價格單月上漲25%至25美元，成為本月漲幅最高的存儲產品。值得注意的是，這一上漲并非短期現(xiàn)象，自2025年10月以來，NAND閃存價格已出現(xiàn)大幅攀升，其中1Tb QLC/TLC閃存晶圓價格漲幅約三倍，512Gb TLC價格漲幅接近五倍。

春節(jié)假期曾讓2月中旬的存儲市場交易活動有所降溫，但假期結束后，現(xiàn)貨市場迅速恢復活力，價格繼續(xù)保持上行趨勢。機構分析認為，當前DDR4等產品漲幅放緩，更多是季節(jié)性因素導致，并非市場供需壓力得到緩解。

除現(xiàn)貨價格外，存儲合約價格的市場預期也大幅上調。TrendForce在2月初上調2026年第一季度存儲合約價格預測，傳統(tǒng)DRAM合約價格環(huán)比漲幅從此前預計的55%至60%提高至90%至95%，PC DRAM價格預計環(huán)比翻倍以上，將創(chuàng)下季度漲幅新紀錄；NAND閃存合約價格預計環(huán)比上漲55%至60%，同樣高于此前33%至38%的預測值。

業(yè)內分析指出，本輪存儲價格持續(xù)上漲的核心驅動力，源于人工智能基礎設施建設帶來的需求激增。服務器DRAM和高帶寬存儲器的旺盛需求持續(xù)吸納行業(yè)產能，直接導致傳統(tǒng)DRAM和消費級NAND市場供應趨緊。自2025年末起，北美云服務提供商已提前鎖定大量存儲產品訂單和產能，使得其他買家的供應優(yōu)先級不斷后移，即便頭部PC廠商，其庫存水平也在持續(xù)下降。

在NAND閃存市場，產能結構調整進一步加劇了供應緊張。為追求更高利潤，存儲廠商將更多產能轉向企業(yè)級SSD產品，減少了面向模組廠商的晶圓供應，這一產能分配變化持續(xù)推高了整個NAND市場的價格，也讓消費級市場面臨更大的供應壓力。