3 月 23 日消息，晶圓代工龍頭臺積電已宣布計(jì)劃于 2027 年終止氮化鎵 (GaN) 晶圓的生產(chǎn)，與此同時(shí)三星電子將其視為重要增長點(diǎn)。根據(jù)韓媒 THE ELEC 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 19 日的報(bào)道，三星的 8 英寸 GaN 生產(chǎn)線即將就緒。

三星半導(dǎo)體最初在 2023 年表示其功率半導(dǎo)體晶圓廠將于 2025 年投產(chǎn)，不過實(shí)際進(jìn)度要慢上一些。最新行業(yè)消息顯示，三星的首條 8 英寸 GaN 生產(chǎn)線最快 2026Q2 投產(chǎn)，預(yù)計(jì)初期營收規(guī)模在 1000 億韓元（注：現(xiàn)匯率約合 4.62 億元人民幣）以內(nèi)。

報(bào)道指出，三星電子已建立除芯片設(shè)計(jì)外的 GaN 解決方案體系，可自產(chǎn) GaN 外延晶圓。

除 GaN 外，三星電子還計(jì)劃在年內(nèi)投運(yùn)碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體晶圓代工生產(chǎn)線。在 SiC 上三星擁有包括設(shè)計(jì)在內(nèi)的全流程能力，可與 GaN 在不同耐壓區(qū)間形成互補(bǔ)。

氮化鎵簡介

　　這是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。