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破產的GaN代工廠BelGaN遭多家機構組團競購
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Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設計
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英飛凌推出全新CoolGaN? Drive產品系列
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預計2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模達43.76億美元
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瑞薩完成對Transphorm的收購
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CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
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2024年全球半導體材料市場將同比增11%
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瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術擴展電源產品陣容
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GaN格局，開年大變
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德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵系列新品
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CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
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CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
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CGD 首席技術官 Florin Udrea 入選著名的 Ispsd 名人堂
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Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅動器解決方案
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恩智浦推出全新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術，進一步縮小5G無線產品尺寸
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Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率
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英飛凌推出新一代雙通道隔離柵極驅動器IC，提升SMPS設計的系統(tǒng)性能
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Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
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