2月26日消息，汽車(chē)于工業(yè)芯片大廠英飛凌（Infineon）發(fā)布了《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》，強(qiáng)調(diào)氮化鎵（GaN）將成為改變游戲規(guī)則的半導(dǎo)體材料，它將大幅改變大眾在消費(fèi)、交通出行、住宅太陽(yáng)能、電信和AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提高能效和推進(jìn)低碳化的方式。因此，預(yù)計(jì)GaN的采用率將在今年及未來(lái)持續(xù)成長(zhǎng)。

△英飛凌的12英寸氮化鎵晶圓

英飛凌指出，GaN 可為終端客戶(hù)的應(yīng)用帶來(lái)顯著優(yōu)勢(shì)，包括提高能效表現(xiàn)、縮小尺寸、減輕重量和降低總體成本。如今USB-C充電器和適配器已經(jīng)是GaN應(yīng)用的領(lǐng)跑者，有更多產(chǎn)業(yè)即將達(dá)到GaN的應(yīng)用關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，這將大幅推動(dòng)GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。

英飛凌GaN事業(yè)線(xiàn)負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示，英飛凌致力于透過(guò)基于Si、SiC和GaN在內(nèi)的全部半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新來(lái)推動(dòng)低碳化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型。憑借在效率、密度和尺寸方面的優(yōu)勢(shì)，GaN將在全面性的電源系統(tǒng)中發(fā)揮日益重要的作用。而且鑒于GaN與Si的成本差距正在縮小，英飛凌預(yù)計(jì)GaN的采用率將在今年及未來(lái)持續(xù)成長(zhǎng)。

GaN技術(shù)對(duì)于AI的供電需求也是至關(guān)重要。隨著AI數(shù)據(jù)中心算力和能源需求的快速增長(zhǎng)，市場(chǎng)愈發(fā)需要能夠處理AI服務(wù)器相關(guān)巨大負(fù)載的先進(jìn)解決方案。過(guò)往電源供應(yīng)器的輸出功率為3.3 kW，現(xiàn)在正向著5.5 kW發(fā)展，預(yù)計(jì)未來(lái)將達(dá)到12 kW或更高。使用GaN可以提高AI數(shù)據(jù)中心的功率密度，對(duì)于在有限的機(jī)架空間內(nèi)可提供的算力將有直接的影響。除了GaN具有明顯的優(yōu)勢(shì)。另一方面，將其與Si和SiC搭配使用才是滿(mǎn)足AI數(shù)據(jù)中心要求，并在效率、功率密度和系統(tǒng)成本之間實(shí)現(xiàn)綜合權(quán)衡的理想選擇。

在家電市場(chǎng)，由于洗衣機(jī)、烘干機(jī)、冰箱和水泵/熱泵等應(yīng)用需要達(dá)到更高的能效等級(jí)，因此英飛凌預(yù)計(jì)GaN將達(dá)成快速發(fā)展。例如：在800 W應(yīng)用中，GaN可使能效提高2%，從而幫助制造商實(shí)現(xiàn)A級(jí)能效。根據(jù)英飛凌的研究，基于GaN的電動(dòng)車(chē)車(chē)載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器將有助于更高的充電效率、功率密度和材料永續(xù)性，而且正向20 kW以上的系統(tǒng)轉(zhuǎn)型。GaN 還將與高階SiC解決方案一同實(shí)現(xiàn)更加高效的400 V和800 V電動(dòng)車(chē)系統(tǒng)牽引逆變器，增加電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程。

英飛凌表示，由于GaN材料能夠提升體積的精簡(jiǎn)性，機(jī)器人產(chǎn)業(yè)將于2025年起廣泛采用GaN，這將推動(dòng)送貨無(wú)人機(jī)、護(hù)理機(jī)器人和人形機(jī)器人的發(fā)展。而隨著機(jī)器人技術(shù)與自然語(yǔ)言處理、電腦視覺(jué)等先進(jìn)AI技術(shù)的融合，GaN將提供實(shí)現(xiàn)精簡(jiǎn)、高性能設(shè)計(jì)所需的效率。例如：將逆變器整合在馬達(dá)機(jī)箱內(nèi)，既無(wú)需使用逆變器散熱片，同時(shí)又能減少每個(gè)關(guān)節(jié)/軸的線(xiàn)纜，并簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)。

英飛凌進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，為了解決在成本和可擴(kuò)展性方面的挑戰(zhàn)，英飛凌正進(jìn)一步增加對(duì)GaN研發(fā)的投資。憑借最豐富的產(chǎn)品和IP組合、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，以及12英寸GaN晶圓制造和雙向開(kāi)關(guān)（BDS）晶體管等前沿創(chuàng)新技術(shù)，英飛凌正以包括GaN在內(nèi)的所有相關(guān)半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)，鞏固自身在推動(dòng)低碳化和數(shù)字化方面的領(lǐng)先地位。