3月4日，據(jù)上海松江官方消息，位于上海松江綜保區(qū)的尼西半導(dǎo)體科技（上海）有限公司宣布，已建成投產(chǎn)全球首條35微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓工藝及封裝測(cè)試生產(chǎn)線。該技術(shù)將晶圓厚度縮減至35微米，大幅降低了功率芯片的導(dǎo)通電阻與熱阻，主要面向新能源汽車和5G基站等高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景，為國(guó)產(chǎn)功率器件打入高壓平臺(tái)及快充市場(chǎng)提供產(chǎn)能基礎(chǔ)。

在加工工藝方面，尼西半導(dǎo)體將晶圓加工精度控制在35±1.5微米，并通過(guò)化學(xué)腐蝕技術(shù)消除92%的研磨應(yīng)力損傷，使極薄晶圓的碎片率降至0.1%以內(nèi)。切割環(huán)節(jié)采用定制化激光技術(shù)替代傳統(tǒng)刀片，熱影響區(qū)顯著縮小，切割良率達(dá)到98.5%。設(shè)備參數(shù)顯示，產(chǎn)線研磨機(jī)加工精度達(dá)0.1微米，片內(nèi)厚度偏差小于2微米；激光切割機(jī)切縫寬度僅11微米，相較傳統(tǒng)工藝可提升約**10%**的芯片有效面積利用率。

芯片厚度的降低直接帶來(lái)了電氣性能的改變。數(shù)據(jù)顯示，該工藝使載流子通行時(shí)間縮短40%，熱阻較傳統(tǒng)的100微米標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品下降60%。在封裝環(huán)節(jié)引入雙面散熱設(shè)計(jì)后，模塊熱阻可再降30%，功率循環(huán)壽命提升5倍。應(yīng)用端測(cè)算表明，同等晶圓面積下芯片產(chǎn)出量增加20%，可使手機(jī)快充模塊體積縮減一半，并為電動(dòng)汽車電控單元減重3公斤。

目前，該產(chǎn)線測(cè)試環(huán)節(jié)單日產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)顆成品，鍵合機(jī)單日產(chǎn)能約400片。產(chǎn)線中的鍵合、研磨、切割及解鍵合等核心裝備，均由尼西半導(dǎo)體與國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商聯(lián)合研發(fā)，在協(xié)同創(chuàng)新中實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵設(shè)備的自主可控，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)制造領(lǐng)域的應(yīng)用空白。