4月1日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）在其最新300毫米晶圓（12英寸晶圓）制造展望中報告稱，預(yù)計全球300毫米晶圓設(shè)備支出將在2026年增長18%，達(dá)到1330億美元；2027年將繼續(xù)增長14%，達(dá)到1510億美元。這一強(qiáng)勁增長反映了數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備對AI芯片需求的激增，以及通過本地化工業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和供應(yīng)鏈重組，關(guān)鍵區(qū)域?qū)Π雽?dǎo)體自給自足的日益承諾。展望未來，報告預(yù)測投資將持續(xù)增長3%，2028年達(dá)到1550億美元，2029年將再增長11%，達(dá)到1720億美元。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“人工智能正在重塑半導(dǎo)體制造投資的規(guī)模?！薄叭?00毫米晶圓設(shè)備支出預(yù)計2027年首次突破1500億美元，行業(yè)正對推動人工智能時代所需的先進(jìn)產(chǎn)能和韌性供應(yīng)鏈做出歷史性且持續(xù)的承諾?！?/p>

細(xì)分市場增長

邏輯與微元件（Micro Components，包括MCU、MPU、DSP）預(yù)計將在2027年至2029年間引領(lǐng)設(shè)備擴(kuò)展，總投資總額達(dá)2280億美元，主要得益于代工廠需求強(qiáng)勁，這得益于2nm以下尖端產(chǎn)能投資。先進(jìn)的節(jié)點技術(shù)對于提升芯片性能和能效至關(guān)重要，以滿足各種AI應(yīng)用中嚴(yán)格的芯片設(shè)計要求。更先進(jìn)的節(jié)點技術(shù)預(yù)計將在2027年至2029年間進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外，AI性能的提升預(yù)計將推動各種邊緣AI設(shè)備的巨大增長。除了先進(jìn)節(jié)點外，所有節(jié)點和各種電子設(shè)備的需求預(yù)計將適度增長，支持對成熟節(jié)點的投資。

存儲領(lǐng)域預(yù)計在設(shè)備支出中排名第二，2027年至2029年總額為1750億美元。這一時期標(biāo)志著該細(xì)分市場新增長周期的開始。在存儲類別中，DRAM設(shè)備支出預(yù)計從2027年至2029年累計達(dá)到1110億美元，而同期3D NAND設(shè)備的支出預(yù)計為620億美元。

由于人工智能訓(xùn)練和推理，對存儲的需求顯著增加。人工智能訓(xùn)練顯著推動了對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求，而模型推斷則帶來了對存儲容量的巨大需求，從而推動了數(shù)據(jù)中心中NAND閃存應(yīng)用的增長。這種強(qiáng)勁的需求促使短期和長期內(nèi)存供應(yīng)鏈持續(xù)大量投資，有助于緩解傳統(tǒng)內(nèi)存周期波動帶來的潛在下行。

區(qū)域投資趨勢

預(yù)計全球300毫米晶圓設(shè)備投資將在2027年至2029年間廣泛分布于主要半導(dǎo)體制造區(qū)域，反映出先進(jìn)節(jié)點擴(kuò)展、內(nèi)存容量增加以及政策支持的供應(yīng)鏈本地化相結(jié)合的趨勢。中國大量、中國臺灣、韓國和美洲預(yù)計在該期間將有大量支出，而日本、歐洲和中東以及東南亞也在從較小的基礎(chǔ)繼續(xù)擴(kuò)大投資。

中國投資預(yù)計將繼續(xù)受到國內(nèi)產(chǎn)能擴(kuò)充和國家級加強(qiáng)半導(dǎo)體制造能力舉措的支持。中國臺灣地區(qū)預(yù)計支出主要由前沿代工產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)展推動，包括2nm和2nm以下技術(shù)。韓國的投資前景仍與記憶領(lǐng)域緊密相關(guān)，該領(lǐng)域AI相關(guān)需求支持了新一輪產(chǎn)能和技術(shù)升級周期。在美洲，預(yù)計支出將以先進(jìn)工藝擴(kuò)展和加強(qiáng)國內(nèi)制造生態(tài)系統(tǒng)的更廣泛努力為支撐。

日本、歐洲及中東以及東南亞也預(yù)計將在2029年實現(xiàn)顯著增長。在這些地區(qū)，設(shè)備投資得益于政府激勵措施、供應(yīng)鏈韌性戰(zhàn)略以及有針對性的半導(dǎo)體制造能力擴(kuò)展努力。