【2026年3月31日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出兩款全新高壓中間總線轉(zhuǎn)換器（HV IBC）參考設(shè)計(jì)，幫助客戶加速向±400 V和800 V直流（VDC）供電的AI服務(wù)器電源架構(gòu)轉(zhuǎn)型。這些參考設(shè)計(jì)采用英飛凌的650 V CoolGaN?開(kāi)關(guān)，專為追求更高機(jī)架功率、更低配電損耗、更優(yōu)散熱性能的超大規(guī)模云服務(wù)提供商、電源架構(gòu)提供商與服務(wù)器OEM廠商所設(shè)計(jì)。

英飛凌高壓中間總線轉(zhuǎn)換器（HV IBC）參考設(shè)計(jì)可幫助客戶加速向±400 V和800 V直流（VDC）供電的AI服務(wù)器電源架構(gòu)轉(zhuǎn)型

新款參考設(shè)計(jì)針對(duì)兩種不同的架構(gòu)進(jìn)行開(kāi)發(fā)：800 VDC至50 V的設(shè)計(jì)作為下游48 V IBC 模塊的中間級(jí)，而800 VDC至12 V的設(shè)計(jì)則為緊湊型服務(wù)器主板提供直接的電壓轉(zhuǎn)換。針對(duì)定制化應(yīng)用，英飛凌還提供數(shù)字控制器XDPP1188-200C，支持靈活的輸出電壓，包括48V、24V和12V。 

英飛凌科技電源系統(tǒng)事業(yè)部副總裁Christian Burrer表示：“英飛凌持續(xù)走在AI供電領(lǐng)域的前沿。我們的HV IBC參考設(shè)計(jì)憑借高品質(zhì)的功率半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)，幫助客戶加速邁向高壓直流數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。通過(guò)展示完整、高效的實(shí)現(xiàn)方案，我們幫助客戶降低開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)、提升功率密度，并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的能源效率提升?！?nbsp;

此次推出的800 VDC或±400 V至50 V HV IBC參考設(shè)計(jì)專為下一代AI數(shù)據(jù)中心開(kāi)發(fā)，滿載效率超過(guò)98%。該設(shè)計(jì)采用英飛凌優(yōu)化的高壓和中壓CoolGaN?開(kāi)關(guān)、EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器以及PSOC?微控制器，包含兩個(gè)3 kW 400 V至50 V轉(zhuǎn)換模塊，采用輸入串聯(lián)-輸出并聯(lián)（ISOP）配置。該架構(gòu)可擴(kuò)展至6 kW 持續(xù)功率設(shè)計(jì)（TDP），并支持在400 μs內(nèi)達(dá)到10.8 kW。利用PCB集成平面變壓器，多級(jí)同步整流器，以及全載條件下的軟切換來(lái)降低電磁干擾（EMI）。該緊湊型設(shè)計(jì)方案尺寸僅為60 x 60 x 11 mm，實(shí)現(xiàn)了2.5 kW/in3優(yōu)異的功率密度。 

第二款參考設(shè)計(jì)是一個(gè)超薄HV IBC演示板，將800 VDC總線電壓直接轉(zhuǎn)換成12 V中間總線電壓。該設(shè)計(jì)提供6 kW TDP，且支持在400 μs內(nèi)達(dá)到10.8 kW的峰值功率。作為ISOP半橋LLC轉(zhuǎn)換器，它采用創(chuàng)新的矩陣變壓器設(shè)計(jì)，占板面積為130 mm × 40 mm，厚度僅為8 mm。其功率密度達(dá)到2.3 kW/in3以上，并支持創(chuàng)新的服務(wù)器主板散熱方案，峰值效率可達(dá)98.2%，而滿載效率可達(dá)97.1%。為滿足這些嚴(yán)苛的規(guī)格要求，該設(shè)計(jì)采用了英飛凌高效的650 V CoolGaN?和40 V OptiMOS? 7開(kāi)關(guān)，搭配EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器和PSOC?微控制器。 

這兩款HV IBC參考設(shè)計(jì)專為與英飛凌從電網(wǎng)到核心的各種AI服務(wù)器供電產(chǎn)品組合配合使用而優(yōu)化設(shè)計(jì)，包括固態(tài)變壓器和固態(tài)斷路器、高壓和中間總線轉(zhuǎn)換以及第二級(jí)DC轉(zhuǎn)換電源模塊。英飛凌充分發(fā)揮硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢(shì)，大幅提高產(chǎn)品效率、密度與可靠性，以經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的高品質(zhì)半導(dǎo)體器件、持續(xù)的設(shè)計(jì)支持以及可擴(kuò)展的產(chǎn)品性能為客戶提供通往下一代AI服務(wù)器平臺(tái)端到端電源架構(gòu)的明確路徑。