《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電子元件 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > X-FAB現(xiàn)推出GaN-on-Si代工服務(wù)

X-FAB現(xiàn)推出GaN-on-Si代工服務(wù)

XG035 dMode工藝將提供MPW、原型設(shè)計(jì)及量產(chǎn)服務(wù)
2025-09-08
來(lái)源:X-FAB
關(guān)鍵詞: X-FAB GaN GaN-on-Si技術(shù)

  中國(guó)北京,2025年9月4日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,憑借其在高功率應(yīng)用領(lǐng)域氮化鎵(GaN)加工技術(shù)方面的專業(yè)優(yōu)勢(shì),X-FAB基于其XG035技術(shù)平臺(tái)推出針對(duì)dMode器件的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)代工服務(wù)。此舉進(jìn)一步發(fā)揮和強(qiáng)化了X-FAB作為專業(yè)純晶圓代工企業(yè)的優(yōu)勢(shì),現(xiàn)可提供涵蓋GaN及其它寬禁帶半導(dǎo)體材料(包括碳化硅(SiC))的全套加工技術(shù),助力無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)落地。

21.JPG

  X-FAB德累斯頓廠制造的8英寸GaN-on-Si晶圓

  X-FAB的GaN-on-Si技術(shù)由其位于德國(guó)德累斯頓的先進(jìn)8英寸晶圓廠提供。該廠是X-FAB在全球運(yùn)營(yíng)的六大生產(chǎn)基地之一,擁有穩(wěn)定可靠、符合汽車行業(yè)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的制造環(huán)境,且配備各類專業(yè)加工設(shè)備、測(cè)量工具和技術(shù),并針對(duì)GaN的研發(fā)與生產(chǎn)進(jìn)行了優(yōu)化,同時(shí)兼顧模擬CMOS工藝,能夠提供滿足汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)、可再生能源、醫(yī)療等領(lǐng)域客戶所需的較厚GaN-on-Si晶圓。

  得益于多年來(lái)在高壓GaN技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累,繼近期發(fā)布開放XG035 dMode工藝平臺(tái)后,X-FAB如今已將內(nèi)部專業(yè)能力延伸至dMode器件GaN-on-Si代工服務(wù)。該工藝包含常用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的dMode HEMT晶體管(電壓可擴(kuò)展范圍為100V至650V)。此外,X-FAB還可提供定制化GaN技術(shù)和產(chǎn)品,包括dMode、eMode HEMT,以及肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky Barrier Diodes),這些器件廣泛應(yīng)用于高頻整流、電源系統(tǒng),和太陽(yáng)能電池板等領(lǐng)域。

  全球市場(chǎng)對(duì)充電設(shè)備、電動(dòng)汽車、先進(jìn)能源管理系統(tǒng),以及更強(qiáng)大的數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的需求持續(xù)增長(zhǎng)。就數(shù)據(jù)中心而言,人工智能(AI)的訓(xùn)練與部署促使對(duì)算力資源的需求不斷增加,這進(jìn)而推動(dòng)了對(duì)更高功率的需求,以及對(duì)更高效電能傳輸與轉(zhuǎn)換技術(shù)的需求。

  GaN-on-Si技術(shù)是一種極具前景的半導(dǎo)體工藝,它能夠?qū)崿F(xiàn)高頻開關(guān)與低導(dǎo)通電阻(Rds,即漏極與源極之間的電阻)。憑借其小尺寸和高電壓處理能力,GaN-on-Si技術(shù)進(jìn)一步完善了X-FAB的寬禁帶芯片工藝產(chǎn)品線,使客戶從電網(wǎng)到汽車電池,乃至GPU層級(jí),都能夠設(shè)計(jì)出更加高效節(jié)能的產(chǎn)品。

  “我們擁有30多年車規(guī)級(jí)CMOS技術(shù)領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)——包括350nm CMOS工藝、共享工具和設(shè)備,以及BEOL,這使得我們的GaN技術(shù)具備內(nèi)在的品質(zhì)優(yōu)勢(shì),且顯著降低客戶進(jìn)入門檻?!盭-FAB德累斯頓CEO Michael Woittennek表示,“我們開發(fā)定制化技術(shù)多年,如今我們?cè)谖挥谒_克森硅谷中心的德累斯頓工廠為通用原型設(shè)計(jì)項(xiàng)目開放XG035 dMode技術(shù)平臺(tái)。我們350nm工具集的靈活性也使我們能夠快速擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模,為客戶提供快速可靠的上市途徑?!?/p>

  “隨著GaN供應(yīng)商格局的不斷演變,X-FAB正逐步發(fā)展成為專業(yè)的GaN代工合作伙伴?!盭-FAB產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Luigi Di Capua補(bǔ)充道,“我們的8英寸GaN-on-Si平臺(tái)能夠幫助客戶確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定,并毫無(wú)顧慮地?cái)U(kuò)大其設(shè)計(jì)規(guī)模?!?/p>

  目前,X-FAB已推出可簡(jiǎn)化客戶設(shè)計(jì)流程并實(shí)現(xiàn)更快速入門的PDK。此外,從2025年第四季度起,還將開放公共MPW服務(wù),允許多個(gè)客戶共享單片硅晶圓進(jìn)行芯片制造。這些舉措將進(jìn)一步降低原型設(shè)計(jì)及小批量生產(chǎn)的準(zhǔn)入門檻。




更多精彩內(nèi)容歡迎點(diǎn)擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<

3952966954c9c6c308355d1d28d750b.jpg

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。