1月28日消息，臺(tái)積電 (TSMC) 今日向其參股的特色工藝晶圓代工企業(yè)世界先進(jìn) (VIS) 授權(quán) 650V 高壓和 80V 低壓兩種類型的氮化鎵 (GaN) 制程技術(shù)。

通過(guò)此次授權(quán)，世界先進(jìn)擴(kuò)展其硅襯底氮化鎵 (GaN-on-Si) 工藝制程至高壓應(yīng)用領(lǐng)域，形成完整的 GaN-on-Si 平臺(tái)?？紤]到世界先進(jìn)原就擁有 GaN-on-QST 制程平臺(tái)，世界先進(jìn)因此成為全球首家能同時(shí)提供兩種不同襯底氮化鎵高低壓工藝的晶圓制造服務(wù)公司。

通過(guò)本次技術(shù)授權(quán)，世界先進(jìn)將打造一個(gè)能與現(xiàn)有無(wú)縫接軌的氮化鎵制程平臺(tái)，并將于公司成熟的八英寸晶圓生產(chǎn)平臺(tái)上進(jìn)行驗(yàn)證，以確保制程穩(wěn)定性與高良率。相關(guān)開(kāi)發(fā)作業(yè)預(yù)計(jì)于 2026 年初啟動(dòng)，并于 2028 年上半年量產(chǎn)。