在10月13開幕的OCP Global Summit 2025上，英偉達(dá)（NVIDIA）正式發(fā)布了面向未來AI數(shù)據(jù)中心的800V高壓直流（800 VDC）電源架構(gòu)，并同步發(fā)表題為《800 VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure》的白皮書，揭示其 “AI Factory（人工智能工廠）” 愿景。

英偉達(dá)創(chuàng)始人黃仁勛指出，AI Factory 將成為繼電力與互聯(lián)網(wǎng)之后的 “第三次基礎(chǔ)設(shè)施革命”——在這個(gè)新時(shí)代，算力將像電力一樣被生成、輸送和消耗，成為推動(dòng)全球經(jīng)濟(jì)與產(chǎn)業(yè)智能化的核心能源。

在英偉達(dá)的主題 Keynote 中，英諾賽科（02577） 被重點(diǎn)展示為 800 VDC 生態(tài)體系的核心合作伙伴。該公司可提供從800V 輸入到1VGPU輸出的全鏈路 GaN 解決方案，并已在數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用，可以充分滿足該方案的技術(shù)需求。受到大會(huì)消息影響，公司股價(jià)在10月14日開盤大漲超過14%。

英偉達(dá)從 415 伏交流（上）到 800 伏直流（下）的配電架構(gòu)演進(jìn)

據(jù)了解，英偉達(dá)在最新的Vera Rubin GPU平臺(tái)與 Kyber系統(tǒng)架構(gòu)中，將首次采用 800VDC供電體系，使單機(jī)柜功率從傳統(tǒng)的200kW躍升至1MW，為“千兆瓦級(jí)AI工廠（Gigawatt AI Factories）”提供能源基礎(chǔ)。相較傳統(tǒng)54V架構(gòu)，800VDC讓電流降低15倍以上，銅損顯著減少，布線更輕、更高效。

根據(jù)英偉達(dá)發(fā)布的白皮書，在未來兆瓦級(jí)AI系統(tǒng)中，傳統(tǒng)硅器件的效率與熱管理已接近極限。要在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高算力密度與更低能耗，就必須采用能夠在高電壓、高頻率下運(yùn)行的新型功率器件。氮化鎵（GaN）因此成為800VDC架構(gòu)中不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)，也是此次800VDC架構(gòu)解決方案的核心。

氮化鎵能在超高頻率（高達(dá)1-10MHz）下保持低損耗運(yùn)行，整體系統(tǒng)能效提升10–13%，功率密度提升50%以上。這意味著在相同機(jī)柜體積內(nèi)可容納更多算力，而能耗與散熱需求卻顯著下降。

業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，隨著英偉達(dá)800VDC路線圖的發(fā)布，AI數(shù)據(jù)中心正從“54V時(shí)代”邁向“800V 時(shí)代”，這不僅是能效的跨越，更是能源體系的革命。