在10月13開幕的OCP Global Summit 2025上，英偉達（NVIDIA）正式發(fā)布了面向未來AI數(shù)據(jù)中心的800V高壓直流（800 VDC）電源架構，并同步發(fā)表題為《800 VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure》的白皮書，揭示其 “AI Factory（人工智能工廠）” 愿景。

英偉達創(chuàng)始人黃仁勛指出，AI Factory 將成為繼電力與互聯(lián)網(wǎng)之后的 “第三次基礎設施革命”——在這個新時代，算力將像電力一樣被生成、輸送和消耗，成為推動全球經(jīng)濟與產(chǎn)業(yè)智能化的核心能源。

在英偉達的主題 Keynote 中，英諾賽科（02577） 被重點展示為 800 VDC 生態(tài)體系的核心合作伙伴。該公司可提供從800V 輸入到1VGPU輸出的全鏈路 GaN 解決方案，并已在數(shù)據(jù)中心、電動汽車和消費電子等多個領域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應用，可以充分滿足該方案的技術需求。受到大會消息影響，公司股價在10月14日開盤大漲超過14%。

英偉達從 415 伏交流（上）到 800 伏直流（下）的配電架構演進

據(jù)了解，英偉達在最新的Vera Rubin GPU平臺與 Kyber系統(tǒng)架構中，將首次采用 800VDC供電體系，使單機柜功率從傳統(tǒng)的200kW躍升至1MW，為“千兆瓦級AI工廠（Gigawatt AI Factories）”提供能源基礎。相較傳統(tǒng)54V架構，800VDC讓電流降低15倍以上，銅損顯著減少，布線更輕、更高效。

根據(jù)英偉達發(fā)布的白皮書，在未來兆瓦級AI系統(tǒng)中，傳統(tǒng)硅器件的效率與熱管理已接近極限。要在有限空間內(nèi)實現(xiàn)更高算力密度與更低能耗，就必須采用能夠在高電壓、高頻率下運行的新型功率器件。氮化鎵（GaN）因此成為800VDC架構中不可或缺的關鍵技術，也是此次800VDC架構解決方案的核心。

氮化鎵能在超高頻率（高達1-10MHz）下保持低損耗運行，整體系統(tǒng)能效提升10–13%，功率密度提升50%以上。這意味著在相同機柜體積內(nèi)可容納更多算力，而能耗與散熱需求卻顯著下降。

業(yè)內(nèi)專家認為，隨著英偉達800VDC路線圖的發(fā)布，AI數(shù)據(jù)中心正從“54V時代”邁向“800V 時代”，這不僅是能效的跨越，更是能源體系的革命。