1 月 8 日消息，科技媒體 Tom's Hardware 今天（1 月 8 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱在 CES 2026 展會(huì)期間的問答環(huán)節(jié)，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛針對(duì)“是否用更廉價(jià)的 SRAM 取代昂貴的 HBM”這一行業(yè)熱點(diǎn)進(jìn)行了回應(yīng)。

注：SRAM 全稱為 Static Random Access Memory，直譯為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是高速小容量的靜態(tài)緩存，基于觸發(fā)器，速度極快但成本高、密度低；HBM 是超高帶寬、大容量的 3D 堆疊式主存（基于 DRAM），通過垂直堆疊實(shí)現(xiàn)超高帶寬，功耗低、容量大，主要用于 AI / GPU，兩者定位不同，SRAM 是片上緩存，HBM 是系統(tǒng)級(jí)高帶寬內(nèi)存，共同服務(wù) AI 算力需求。

AI 行業(yè)當(dāng)前正積極尋找降低成本的途徑。隨著 SRAM 加速器、GDDR 推理方案以及開放權(quán)重模型的興起，業(yè)界出現(xiàn)了一種聲音，認(rèn)為這些低成本方案可以緩解對(duì)英偉達(dá)昂貴組件的依賴。

特別是在基準(zhǔn)測試（Benchmark）和受控演示中，SRAM 憑借極高的訪問速度和無延遲特性，展現(xiàn)出了誘人的性能優(yōu)勢(shì)，甚至被視為 HBM 的潛在替代者。

黃仁勛并未否認(rèn) SRAM 的速度優(yōu)勢(shì)。他直言：“對(duì)于某些特定工作負(fù)載，SRAM 快得驚人。”然而，一旦進(jìn)入生產(chǎn)級(jí) AI 系統(tǒng)，SRAM 的優(yōu)勢(shì)便會(huì)因容量瓶頸而崩塌。

黃仁勛指出，SRAM 的容量增長速度遠(yuǎn)跟不上現(xiàn)代模型的需求，其可容納的模型規(guī)模僅為 HBM 系統(tǒng)的百分之一。在模型因上下文增加或功能擴(kuò)展而溢出 SRAM 時(shí)，系統(tǒng)被迫調(diào)用外部內(nèi)存，導(dǎo)致效率優(yōu)勢(shì)瞬間消失。

黃仁勛進(jìn)一步剖析了 AI 工作負(fù)載的不可預(yù)測性?，F(xiàn)代 AI 模型形態(tài)各異，包含混合專家模型（MOE）、多模態(tài)任務(wù)、擴(kuò)散模型及自回歸模型等。

這些架構(gòu)對(duì)硬件的壓力點(diǎn)截然不同：有的依賴顯存容量，有的依賴互連帶寬（NVLink），且需求時(shí)刻在變。如果硬件針對(duì)某一特定模式（如純 SRAM）過度優(yōu)化，一旦工作負(fù)載發(fā)生變化，昂貴的芯片就會(huì)閑置。

基于此，英偉達(dá)堅(jiān)持選擇 HBM 路線。黃仁勛認(rèn)為，在共享數(shù)據(jù)中心中，靈活性是決定經(jīng)濟(jì)效益的關(guān)鍵。即使某種專用硬件在 5%-10% 的任務(wù)中表現(xiàn)極致，但如果無法處理其余 90% 的通用任務(wù)，就會(huì)造成巨大的資源浪費(fèi)。

相比之下，HBM 方案雖然物料成本更高，但能適應(yīng)不斷變化的算法和模型架構(gòu)，確保硬件在數(shù)周甚至數(shù)月的運(yùn)營周期內(nèi)保持高利用率。

針對(duì)“開放模型是否會(huì)削弱英偉達(dá)壁壘”的提問，黃仁勛表示，開放并不意味著降低基礎(chǔ)設(shè)施要求。隨著開放模型整合更長的上下文和更多模態(tài)，其內(nèi)存占用同樣會(huì)激增。

英偉達(dá)愿意承擔(dān)高昂的 HBM 成本和復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，正是為了保留“可選性”（Optionality），既防止客戶被鎖定在狹窄的性能范圍內(nèi)，也保護(hù)自身硬件免受模型架構(gòu)快速迭代的沖擊。