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Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅(qū)動器解決方案
發(fā)表于：2023/6/16 13:36:34
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恩智浦推出全新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)，進一步縮小5G無線產(chǎn)品尺寸
發(fā)表于：2023/6/15 20:13:49
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Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率
發(fā)表于：2023/5/16 7:01:00
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英飛凌推出新一代雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC，提升SMPS設(shè)計的系統(tǒng)性能
發(fā)表于：2023/5/16 6:52:00
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
發(fā)表于：2023/5/10 18:58:00
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氮化鎵 （GaN） 帶來電源管理變革的 3 大原因
發(fā)表于：2023/4/18 23:42:00
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意法半導體ST-ONE系列USD PD控制器功率提高到140W
發(fā)表于：2023/4/13 23:58:00
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宏光半導體公布2022年全年業(yè)績
發(fā)表于：2023/4/3 23:37:00
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【向?qū)捊麕а葸M】：您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎？
發(fā)表于：2023/3/17 16:32:00
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Navitas 在 GaN 半導體領(lǐng)域的設(shè)計之旅
發(fā)表于：2023/2/18 15:10:37
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淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面
發(fā)表于：2023/2/7 21:34:58
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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
發(fā)表于：2023/2/5 19:27:20
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GaN在能源和電力市場已經(jīng)徹底改變了高功率應(yīng)用
發(fā)表于：2023/1/23 13:31:14
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第一項是行業(yè)首發(fā)的全新240W充電架構(gòu)橫空出世！
發(fā)表于：2023/1/12 8:40:00
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電源設(shè)計說明：分析用于高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件
發(fā)表于：2022/12/23 20:17:17
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Transphorm在深圳設(shè)立GaN場效應(yīng)晶體管實驗室
發(fā)表于：2022/12/6 11:29:39
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采用GaN HEMT器件最大限度提高下一代USB充電器功率密度
發(fā)表于：2022/12/5 17:26:30
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聚能創(chuàng)芯攜高性能、低成本GaN器件產(chǎn)品和應(yīng)用方案成功亮相2022慕尼黑華南電子展！
發(fā)表于：2022/11/29 21:22:55
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高清晰小尺寸，日本開發(fā)最小的硅襯底GaN激光芯片
發(fā)表于：2022/11/29 6:40:29
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半導體材料：GaN（氮化鎵）的詳細介紹
發(fā)表于：2022/11/3 23:54:07
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“世界硅王”強勢入局，宏光半導體待勢乘時邁入GaN快車道
發(fā)表于：2022/11/2 17:33:16
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應(yīng)用在低功耗SMPS中的GaN／氮化鎵
發(fā)表于：2022/10/27 19:39:37
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應(yīng)用在電源適配器中的GaN／氮化鎵
發(fā)表于：2022/10/20 20:29:24
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GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本
發(fā)表于：2022/9/17 8:56:40
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電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN
發(fā)表于：2022/9/12 16:10:01
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宏光半導體與協(xié)鑫科技創(chuàng)始人朱共山先生之家族信托 訂立戰(zhàn)略合作框架協(xié)議
發(fā)表于：2022/9/8 23:13:35
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晶能光電硅襯底氮化鎵技術(shù)助力MicroLED產(chǎn)業(yè)化
發(fā)表于：2022/8/21 20:11:52
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GaN 將射頻應(yīng)用推向新的階段
發(fā)表于：2022/7/21 6:38:24
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意法半導體新款芯片提高消費電子能效，有望在全球節(jié)省一百萬億瓦時
發(fā)表于：2022/7/11 17:16:00
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破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭
發(fā)表于：2022/7/2 21:06:00
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