近日，日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)宣布，已經(jīng)制造出一種用于 GaN（氮化鎵）外延生長(zhǎng)的 300 毫米（12 英寸）襯底，并于最近開(kāi)始供應(yīng)樣品。

據(jù)介紹，信越化學(xué)的 QST 300mm 晶圓具有與 GaN 相同的熱膨脹系數(shù) （CTE），避免了 GaN 外延層的翹曲和裂紋，從而提高了良率。在此之前，信越化學(xué)已經(jīng)對(duì)外銷售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）QST 襯底以及 QST 外延襯底上的 GaN。

Qromis 許可的 QST（Qromis 襯底技術(shù)）襯底由具有與 GaN 相匹配的 CTE 的多晶氮化鋁陶瓷芯和涂覆芯的多層無(wú)機(jī)薄膜組成。封裝層頂部的二氧化硅 SiO2 鍵合層允許單個(gè)晶體硅層形成外延 GaN 生長(zhǎng)的成核層。

GaN 器件制造商由于缺乏適合 GaN 生長(zhǎng)的大直徑襯底，因此無(wú)法從增加材料直徑中受益，盡管他們可以使用現(xiàn)有的 GaN 硅生產(chǎn)線。300mm QST 襯底可實(shí)現(xiàn) GaN 外延生長(zhǎng)，而不會(huì)出現(xiàn)翹曲或裂紋，這在硅片襯底上是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，從而顯著降低了器件成本。

這種襯底材料可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和厚的 GaN 外延生長(zhǎng)，并具有大直徑。信越化學(xué)表示，客戶正在評(píng)估用于功率器件、高頻器件和 LED 的 QST 襯底和 QST 外延襯底上的 GaN，并已進(jìn)入數(shù)據(jù)中心電源的開(kāi)發(fā)階段。