2023 年 6 月 21 日

　　英國劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD）是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。該公司很高興宣布，其首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Florin Udrea 教授于近期入選 IEEE ISPSD（功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議）名人堂。ISPSD 名人堂旨在表彰在推動功率半導(dǎo)體技術(shù)以及在維持 ISPSD 成功發(fā)展方面做出巨大貢獻(xiàn)的個人。在對 Udrea 的表彰中這樣說道：“Florin Udrea 對功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的杰出貢獻(xiàn)以及對 ISPSD 的多方助益，激勵著一代又一代工程師在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域去追求卓越。”除了在第 23 屆 ISPSD（于中國香港舉辦）入選名人堂外，Udrea 教授還因其對第 22 屆 ISPSD（于加拿大舉辦）的卓越貢獻(xiàn)而榮獲“最佳論文獎”和“最佳海報獎”，這是 ISPSD 舉辦 35 年以來首次將這兩個獎項授予同一個人。

　　Florin Udrea | CGD 首席技術(shù)官 “很榮幸能夠入選 ISPSD 名人堂，這一群體是如此的莊嚴(yán)卓越，其中更是不乏開拓進(jìn)取的優(yōu)秀同仁，能夠成為其中的一員讓我感到無比自豪。并且能在當(dāng)今這樣一個‘功率’主題變得越來越重要的時代中保持活躍，我感到非常榮幸和幸運(yùn)。通過使用 GaN 等新型 WBG 材料，我們不僅可以提高效率，還可以減少碳足跡?！?/p>

　　Giorgia Longobardi | CGD 首席執(zhí)行官

　　“祝賀 Florin 榮獲此殊榮，他當(dāng)之無愧。很幸運(yùn) CGD 能擁有這樣一位在硅、碳化硅、金剛石以及氮化鎵等眾多不同類型的功率材料方面有著豐富經(jīng)驗的人才擔(dān)任首席技術(shù)官。我們還從 HVMS（劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器研究組）的研究成果中受益良多，這個團(tuán)隊目前也由 Florin 所領(lǐng)導(dǎo)。CGD 的基礎(chǔ)支柱之一是創(chuàng)新，而 Florin 正是一位真正的創(chuàng)新者?！?/p>

　　Udrea 教授在期刊和國際會議上已發(fā)表了超過 600 篇論文，并且在功率半導(dǎo)體器件和傳感器領(lǐng)域擁有 200 項專利。2015 年，他入選為英國皇家工程院院士。Udrea 在最近的 ISPSD 會議上獲得“最佳海報獎”，其獲獎演示文稿主題為“可提高易用性和柵極可靠性的具有感應(yīng)和保護(hù)功能的智能 ICeGaN? 平臺”。CGD 的 650 V ICeGaN GaN HEMT 系列具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性，可實現(xiàn)最高效率。ICeGaN 可作為平臺技術(shù)應(yīng)用于多種領(lǐng)域，包括從商業(yè)領(lǐng)域的電源到工業(yè)領(lǐng)域的轉(zhuǎn)換器和逆變器等多種應(yīng)用。Udrea 教授因在劍橋大學(xué)與日本 Misrise Technologies 和日本京都大學(xué)針對垂直 SiC FinFET 器件合作開展的研究而榮獲“最佳論文獎”。

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