英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器設計的 EVK 中采用了 CGD的ICeGaN? （IC 增強型 GaN）技術。

Giorgia longobardi   | CGD 首席執(zhí)行官

“與其他同行提供的   GaN 性能不同，我們提供的 ICeGaN   HEMT 提供了接口電路，沒有集成控制器；因此通過與高度集成的電機控制器和驅動   IC 進行簡單的結合，ICeGaN 就可以由例如   Qorvo 的 PAC5556A 600 V高性能   BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器的驅動器輕松驅動。我們很高興與   Qorvo 合作，使其電機控制器和驅動器應用盡享 GaN 帶來的益處?！? 

JEff Strang | Qorvo功率管理事業(yè)部總經理

“GaN 和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體因憑借其更高的功率密度和效率優(yōu)勢而被積極用于各種電機控制應用中。CGD的 ICeGaN 產品提供了易用性和可靠性，這些是電機控制和驅動設計師關心的兩個關鍵因素。我們很高興看到設計工程師將 CGD 的 ICeGaN 與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無刷直流電機控制解決方案相結合時的反應。”

GaN 帶來的多種益處包括：更低的損耗，從而帶來更高的效率，進而增加了功率可用性和產生更少的熱量。這減少了對復雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求，從而產生更小、更強大、壽命更長的系統。GaN 還可以在低速時提供更高的扭矩，因此可以實現更精確的控制。此外，GaN 可實現高速開關，這可以減少可聽噪聲，這對于吊扇、熱泵和冰箱等家電尤其重要。

除了易用性之外，與其他 GaN 器件相比，ICeGaN 還提供了以下幾個顯著的優(yōu)點。ICeGaN 的柵極驅動電壓與 IGBT 兼容。由于 ICeGaN 在 GaN IC 內集成了米勒箝位，所以不需要負關斷電壓，并且可以使用低成本的電流驅動器。最后，ICeGaN 內嵌電流感測功能，簡化了電路設計并減少了物料清單（BOM）。

參考設計現已上市，EVK RD5556GaN 將在今年第3季度上市。該產品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD的展位號為7-643。Qorvo展位號為7-406。

結語

關于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發(fā)與商業(yè)化，以實現能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實現的高能效 GaN 解決方案，將創(chuàng)新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術經證明適合大批量生產，并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴大規(guī)模。CGD 是一家無晶圓廠企業(yè)，孵化自劍橋大學。公司首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術背后有不斷擴充的強大知識產權組合做支撐，這也是公司努力創(chuàng)新的結晶。CGD 團隊在技術和商業(yè)方面的專業(yè)知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現，為其專有技術在市場上的認可程度奠定了堅實的基礎。欲了解更多信息，請訪問 https://camgandevices.com/zh/。