2023 年 11 月 6 日， Cambridge GaN Devices (CGD) ，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與群光電能科技有限公司和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設(shè)計和開發(fā)使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商，專注于各種應(yīng)用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設(shè)備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器 (HVMS) 小組負責(zé)人 Florin Udrea 教授將代表 CUTS 擔(dān)任首席顧問。劍橋大學(xué)的 HVMS 小組在功率器件設(shè)計、TCAD 仿真和功率器件表征方面擁有 25 年的歷史。三方將圍繞一個名為“采用先進 GaN 解決方案的創(chuàng)新低功率和高功率 SMPS（開關(guān)模式電源）”的技術(shù)項目展開合作。

CGD 首席執(zhí)行官 Giorgia Longobardi 和首席技術(shù)官 Florin Udrea 與劍橋大學(xué)淵源深厚，F(xiàn)lorin Udrea 仍是 HVMS 小組負責(zé)人，因此 CGD 與劍橋大學(xué)有著悠久且緊密的聯(lián)系。群光電能科技是處于技術(shù)創(chuàng)新前沿的開關(guān)模式電源領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，劍橋大學(xué)的 HVMS 小組以其在功率半導(dǎo)體器件方面的研究和創(chuàng)新而聞名。因此，這次合作代表著囊括系統(tǒng)和應(yīng)用、研究和設(shè)備方面專業(yè)知識的重要 GaN 生態(tài)系統(tǒng)的成立。該項目預(yù)計將為筆記本電腦提供高效、高密度適配器的 SMPS 原型，以及 Titanium+ 效率/高功率密度（> 100W/立方英寸）CRPS 和 OCP 電源架 (3k ~ 6kW) 電源單元，以用于數(shù)據(jù)中心和人工智能服務(wù)器應(yīng)用。

Giorgia Longobardi | CGD 首席執(zhí)行官：“群光電能科技是全球領(lǐng)先的   SMPS 制造商之一，因此該協(xié)議代表了   CGD 在為客戶和整個社會提供高效功率器件技術(shù)的歷程中將再次取得一項了不起的成就。我們的業(yè)務(wù)與劍橋大學(xué)世界知名的   HVMS 小組的強勢聯(lián)合，將加速高能量密度電源解決方案在廣泛應(yīng)用中的開發(fā)和采用?！?/p>

曾國華 | 群光電能科技總裁：“群光電能科技打算與 CGD 和 HVMS 合作，因為他們在 GaN 方面擁有豐富的專業(yè)知識。CGD 已經(jīng)交付了第二代 ICeGaN? 系列產(chǎn)品，該器件在堅固性和易用性方面表現(xiàn)十分優(yōu)異。CGD 起源于劍橋大學(xué)并始終與劍橋大學(xué)保持緊密聯(lián)系，該公司擁有 25 年的學(xué)術(shù)經(jīng)驗，遠遠超過許多其他成熟的 GaN 公司。”

最近，CGD 推出了第二代 ICeGaN? 650 V 氮化鎵產(chǎn)品（H2系列）。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點，過壓穩(wěn)健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實現(xiàn) dV/dt 抑制和 ESD 保護。與上一代器件一樣，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管可以使用商用工業(yè)柵極驅(qū)動器輕松驅(qū)動。最后，與硅器件相比，ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍。這大大降低了開關(guān)損耗，并相應(yīng)減小了尺寸和重量。