nand 相關(guān)文章(385篇)
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全球內(nèi)存和SSD價(jià)格將在2018年回落
發(fā)表于：4/18/2017 6:00:00 AM
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臺(tái)積電公開回復(fù)：東芝競(jìng)標(biāo)案和3nm廠選址
發(fā)表于：4/17/2017 6:00:00 AM
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三星/SK海力士擴(kuò)產(chǎn)加速 正奮力追趕的中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)還有戲嗎
發(fā)表于：4/14/2017 6:00:00 AM
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芯片國(guó)產(chǎn)化勢(shì)不可擋
發(fā)表于：4/13/2017 5:00:00 AM
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臺(tái)積電先撤了 東芝第二輪競(jìng)標(biāo)5月底展開
發(fā)表于：4/11/2017 6:00:00 AM
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【揭秘】2017年國(guó)產(chǎn)智能手機(jī)漲價(jià)原因
發(fā)表于：4/11/2017 5:00:00 AM
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鴻海通過東芝半導(dǎo)體首輪篩選
發(fā)表于：4/11/2017 5:00:00 AM
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臺(tái)積電先撤了 東芝第二輪競(jìng)標(biāo)5月底展開
發(fā)表于：4/10/2017 6:00:00 AM
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東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)首招鴻海豪砸3萬(wàn)億
發(fā)表于：4/10/2017 6:00:00 AM
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2月全球半導(dǎo)體銷售額實(shí)現(xiàn)六年來(lái)最大增幅
發(fā)表于：4/7/2017 6:00:00 AM
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芯片+手機(jī)業(yè)務(wù)雙贏 三星營(yíng)收將破記錄
發(fā)表于：4/7/2017 5:00:00 AM
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買家眾多 東芝存儲(chǔ)業(yè)務(wù)將花落誰(shuí)家
發(fā)表于：3/30/2017 6:00:00 AM
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Nor Flash漲價(jià) 誰(shuí)將受益 誰(shuí)遇難題
發(fā)表于：3/30/2017 6:00:00 AM
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美光發(fā)力汽車和工業(yè)領(lǐng)域的安全存儲(chǔ)
發(fā)表于：3/29/2017 4:33:00 PM
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韓媒：搶東芝半導(dǎo)體 SK Hynix超積極
發(fā)表于：3/29/2017 6:00:00 AM
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出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)受阻 東芝考慮賣別的業(yè)務(wù)
發(fā)表于：3/20/2017 5:00:00 AM
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打破市場(chǎng)壟斷 國(guó)產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)
發(fā)表于：3/17/2017 6:00:00 AM
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西數(shù)和Rambus達(dá)成專利授權(quán)協(xié)議
發(fā)表于：3/9/2017 6:00:00 AM
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傳臺(tái)積電將競(jìng)標(biāo)東芝半導(dǎo)體事業(yè) 反擊三星
發(fā)表于：3/3/2017 6:00:00 AM
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3D NAND良率影響NAND Flash整體市場(chǎng)發(fā)展
發(fā)表于：2/27/2017 9:31:00 AM
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國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力存儲(chǔ)芯片 行業(yè)發(fā)展將迎來(lái)拐點(diǎn)
發(fā)表于：2/24/2017 6:00:00 AM
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國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力存儲(chǔ)芯片 行業(yè)發(fā)展將迎來(lái)拐點(diǎn)
發(fā)表于：2/24/2017 6:00:00 AM
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中國(guó)3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展
發(fā)表于：2/17/2017 6:00:00 AM
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東芝半導(dǎo)體考慮出售過半股權(quán) 紫光加入競(jìng)爭(zhēng)
發(fā)表于：2/16/2017 5:00:00 AM
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比NAND速度快千倍40nm ReRAM投產(chǎn)
發(fā)表于：2/13/2017 1:04:00 PM
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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)
發(fā)表于：2/13/2017 6:00:00 AM
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東芝半導(dǎo)體分散釋股 海力士志在必得
發(fā)表于：2/13/2017 6:00:00 AM
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西數(shù)開始生產(chǎn) 64層 512 Gb 3D NAND 閃存芯片
發(fā)表于：2/8/2017 6:00:00 AM
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三星或追投西安3D NAND廠43億美元
發(fā)表于：2/8/2017 5:00:00 AM
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鐘情NAND型閃存 郭臺(tái)銘攪局東芝半導(dǎo)體招標(biāo)
發(fā)表于：2/8/2017 5:00:00 AM
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