東芝(Toshiba)11日發(fā)布新聞稿宣布，關于目前已在四日市工廠廠區(qū)內興建的3D架構NAND型快閃存儲器(Flash Memory)專用廠房「第6廠房」投資案，旗下子公司「東芝存儲器(TMC；Toshiba Memory Corporation)」原先是計劃在2017年度內(截至2018年3月底為止的會計年度)砸下1950億日元資金，用于導入「第6廠房」第1期工程所需的生產設備以及用于第2期工程的廠房興建，不過因來自服務器、數據中心的3D NAND需求擴大，故TMC將在2017年度內加碼投資1100億日元用于第1期工程的設備導入，也就是說2017年度內對「第6廠房」的投資金額將擴大至3050億日元。

東芝表示，關于Western Digital(WD)子公司SanDisk是否會參與上述追加的1100億日元投資計劃，目前正向SanDisk提案、協(xié)議中。

「第6廠房」第1期工程預計于2018年夏天完工，第2期工程廠房預計于2017年9月動工、2018年年末完工。關于具體的產能、生產計劃，將于今后視市場動向決定。

東芝6月28日宣布，已攜手SanDisk研發(fā)出全球首款采用堆棧96層制程技術的3D NAND Flash產品，且已完成試作、確認基本動作。

該款堆棧96層的3D NAND試作品為256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計于2017年下半送樣、2018年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用SSD、PC用SSD以及智能型手機、平板計算機和記憶卡等市場。

上述堆棧96層的3D NAND將利用東芝四日市工廠「第5廠房」、「新第2廠房」以及預計2018年夏天完成第1期工程的「第6廠房」進行生產。