nand 相關(guān)文章(400篇)
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NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線
發(fā)表于：2011/5/26 11:30:04
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全球NAND閃存市場(chǎng)一季度營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)10%
發(fā)表于：2011/5/12 8:41:29
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亞洲其他地區(qū)也可能像日本那樣重創(chuàng)全球電子供應(yīng)鏈
發(fā)表于：2011/4/22 16:21:19
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閃存芯片迎春 20nm制程技術(shù)完全解析
發(fā)表于：2011/4/18 0:00:00
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英特爾美光推20納米級(jí)NAND芯片 下半年量產(chǎn)
發(fā)表于：2011/4/17 0:00:00
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基于ARM9內(nèi)核Processor對(duì)外部NAND FLASH的控制實(shí)現(xiàn)
發(fā)表于：2011/3/25 0:00:00
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新閃存標(biāo)準(zhǔn)ONFI3.0出爐 訪問(wèn)速度提升一倍
發(fā)表于：2011/3/18 18:05:55
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基于VxWorks的NANDFLASH驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)
發(fā)表于：2011/3/12 0:00:00
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美光科技針對(duì)基于NAND閃存的筆記本推出了運(yùn)行更快，容量更高的固態(tài)硬盤
發(fā)表于：2011/2/25 12:44:59
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繼去年創(chuàng)下高位后，2011年NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)下降
發(fā)表于：2011/2/25 0:00:00
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美光公司用ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)
發(fā)表于：2011/2/16 0:00:00
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Nios II與CF卡的接口設(shè)計(jì)
發(fā)表于：2011/2/15 0:00:00
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NAND Flash下半年需求急增價(jià)格陷拔河賽
發(fā)表于：2011/2/14 0:00:00
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解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)
發(fā)表于：2011/1/29 0:00:00
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基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計(jì)改進(jìn)方案
發(fā)表于：2011/1/21 0:00:00
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2010年半導(dǎo)體銷售額增幅創(chuàng)最高紀(jì)錄
發(fā)表于：2011/1/18 0:00:00
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半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè)
發(fā)表于：2011/1/5 0:00:00
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基于Nand Flash的VIVI裝載器的分析與改進(jìn)
發(fā)表于：2010/12/31 0:00:00
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2010全球半導(dǎo)體市場(chǎng)或大幅增長(zhǎng)至3040億美元
發(fā)表于：2010/12/22 0:00:00
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2011年半導(dǎo)體市場(chǎng)回歸正常軌道
發(fā)表于：2010/12/20 0:00:00
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Micron 推出創(chuàng)新閃存裝置，延長(zhǎng) NAND閃存生命周期
發(fā)表于：2010/12/6 17:08:45
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預(yù)警2011年NAND Flash市場(chǎng)：上半年小心供過(guò)于求
發(fā)表于：2010/12/4 0:00:00
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DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌
發(fā)表于：2010/11/11 0:00:00
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美光和英特爾率先利用業(yè)界領(lǐng)先的25納米硅工藝技術(shù)推出3-bit-per-cell NAND 閃存
發(fā)表于：2010/8/19 0:00:00
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Spansion、爾必達(dá)（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯(lián)盟
發(fā)表于：2010/7/27 0:00:00
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變
發(fā)表于：2010/6/3 0:00:00
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分析稱4月IC出貨低于預(yù)期 臺(tái)灣雙M表現(xiàn)兇猛
發(fā)表于：2010/5/28 0:00:00
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閃存新技術(shù)終于接近量產(chǎn)！可變電阻式內(nèi)存可望取代NAND（一）
發(fā)表于：2010/5/20 0:00:00
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iSuppli預(yù)測(cè)2010年NOR Flash市場(chǎng)收益將止跌回升
發(fā)表于：2010/5/12 0:00:00
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可管理的存儲(chǔ)器：為存儲(chǔ)器系統(tǒng)增加智能的途徑
發(fā)表于：2010/5/11 0:00:00
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