移動產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，NANDFlash設(shè)備已成為人們解決高密度固態(tài)存儲的專用方法。信息技術(shù)的飛速發(fā)展，人們對信息的需求量也越來越大。因此，大量數(shù)據(jù)在系統(tǒng)內(nèi)部以及網(wǎng)絡(luò)之間存儲和傳遞時，對數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測并更正可能出現(xiàn)的錯誤尤為重要。糾錯碼ECC(ErrorCorrect-ionCode)滿足這一需求，其被稱為ECC校驗，是一種常用于NANDFlash讀寫控制器的校驗編碼。
ECC校驗負(fù)責(zé)檢測錯誤、維護(hù)ECC信息、更正由原數(shù)值改變了的單比特錯誤。所有ECC的操作處理都可由一個ECC模塊來控制，其作為一種簡單地存儲一映射接口，放置在NAND器件和處理器接口之間。該模塊一般包含Hamming編碼產(chǎn)生模塊和出錯位置模塊，分別用于產(chǎn)生ECC校驗碼和計算出錯位置。
1Haremina編碼
Hamming編碼計算簡單。廣泛用于NANDFlash的Hamming算法，通過計算塊上數(shù)據(jù)包得到2個ECC值。為計算ECC值，數(shù)據(jù)包中的比特數(shù)據(jù)要先進(jìn)行分割，如1／2組、1／4組、1／8組等，直到其精度達(dá)到單個比特為止，以8bit即1Byte的數(shù)據(jù)包為例進(jìn)行說明，如圖1所示。
該數(shù)據(jù)按圖1所示方式進(jìn)行比特分割，分別得到上方的偶校驗值ECCe和下方的奇校驗值ECCo。其中，1／2校驗值經(jīng)“異或”操作構(gòu)成ECC校驗的最高有效位，同理1／4校驗值構(gòu)成ECC校驗的次高有效位，最低有效位由具體到比特的校驗值填補(bǔ)。圖2展示了兩個ECC校驗值的計算過程。
即偶校驗值ECCe為“101”，奇校驗值ECCo為“010”。圖1所示為只有1Byte數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)包，更大的數(shù)據(jù)包需要更多的ECC值。事實上，每nbit的ECC數(shù)值可滿足2nbit數(shù)據(jù)包的校驗要求。又由于這種Hamming碼算法要求一對ECC數(shù)據(jù)(奇偶)，所以總共要求2nbit的ECC校驗數(shù)據(jù)來處理2nbit的數(shù)據(jù)包。
計算之后，原數(shù)據(jù)包和ECC數(shù)值都要寫入NAND器件。稍后，原數(shù)據(jù)包將從NAND器件中讀取，此時ECC值將重新計算。如果新計算的ECC不同于先前編入NAND器件的ECC，那么表明數(shù)據(jù)在讀寫過程中出錯。
例如，原始數(shù)據(jù)01010001中有1個單一的比特出現(xiàn)錯誤，出錯后的數(shù)據(jù)是01010101。經(jīng)前面所示方法計算，從圖3中可以清楚地看到由于數(shù)據(jù)發(fā)生了變化，2個新的ECC數(shù)值已不同與原來的ECC值。
此時把所有4個ECC數(shù)值進(jìn)行按位“異或”，就可以判斷是否出現(xiàn)了1個單一比特的錯誤或者是多比特的錯誤。如果計算結(jié)果為全“0”，說明數(shù)據(jù)在讀寫過程中未發(fā)生變化。如果計算的結(jié)果為全“1”，表明發(fā)生了1bit錯誤，如圖4所示。如果計算結(jié)果是除了全“0”和全“1”的任何一種情況，那么就是2bit出錯的情況。2bit錯誤總可以檢測到，然而，Hamming碼算法僅能夠保證更正單一比特的錯誤。如果兩個或是更多的比特出錯，那么就不能修改該出錯的數(shù)據(jù)包，在這種情況下，Hamming算法就可能不能夠指示出已經(jīng)出現(xiàn)的錯誤。不過，考慮到SLCNAND器件的比特錯誤的情況，出現(xiàn)2、3bit錯誤的可能性非常低。
對于1bit錯誤的情況，出錯地址可通過將原有ECCo值和新ECCo值進(jìn)行按位“異或”來識別獲取。通過圖5中的計算，結(jié)果為2，表明原數(shù)據(jù)第2bit位出現(xiàn)了問題。該計算采用奇校驗數(shù)據(jù)ECCo，這是因為它們可以直接地反映出出錯比特的位置。
找到出錯比特后，只要通過翻轉(zhuǎn)它的狀態(tài)就可修復(fù)數(shù)據(jù)包，具體操作也就是將該位與“1”進(jìn)行異或操作，如圖6所示。
2擴(kuò)展數(shù)據(jù)包
在上述舉例中，校驗1個8bit數(shù)據(jù)包需要6bit的ECC數(shù)據(jù)。在這種情況下，校驗數(shù)據(jù)量達(dá)到原始數(shù)據(jù)包的數(shù)據(jù)量的75％，看上去并不令人滿意。然而，隨著數(shù)據(jù)包大小的增加，Hamming算法將表現(xiàn)得越來越有效率。由前面2nbit數(shù)據(jù)需要2nbitECC校驗的關(guān)系推知，每增加一倍的數(shù)據(jù)要求兩個額外的ECC信息比特。這樣，當(dāng)數(shù)據(jù)增加到，比如512Byte時，僅產(chǎn)生24bit的ECC，此時用于校驗的數(shù)據(jù)占原數(shù)據(jù)的比例降為0．06％，效率較高。下面，以1個8Byte的數(shù)據(jù)包為例說明擴(kuò)展數(shù)據(jù)包的校驗情況。
在這里，由于異或操作滿足交換律，用一種更為有效的方法進(jìn)行校驗。如圖7所示，首先將該8Byte數(shù)據(jù)排為1個矩陣的形式，每行為1B-yte。分別計算每行各bit的異或結(jié)果記為字節(jié)校驗碼(Byte-Wise)，計算每列各bit的異或結(jié)果記為比特校驗碼(Bit-Wise)。接下來，將兩個校驗碼分別按上述方法分割計算得到ECC校驗碼，并將字節(jié)校驗碼的ECC結(jié)果作為ECCe和ECCo的高有效位(MSB)、比特校驗碼的ECC結(jié)果做為低有效位(LSB)進(jìn)行組合，最終得到8Byte數(shù)據(jù)包的ECC校驗碼。
當(dāng)數(shù)據(jù)包發(fā)生錯誤時，錯誤檢測和更正所使用的方法與先前所描述的方法相似，這里仍以1bit錯誤來說明校驗過程，具體如圖8所示。
經(jīng)步驟1～步驟4的計算，新的數(shù)據(jù)包存在錯誤且出錯位置為“110010”，由于前面將字節(jié)校驗碼設(shè)為ECC值的高位，比特校驗碼設(shè)為低位，因此，“110010”的高有效位表示出錯的字節(jié)地址，低有效位代表出錯的比特地址，即字節(jié)地址為6、比特地址為2的數(shù)據(jù)發(fā)生了錯誤，與設(shè)定的錯誤情況相符。此時，只需將該位的數(shù)據(jù)比特與“1”異或即可完成數(shù)據(jù)包的修正。
將8Byte數(shù)據(jù)包擴(kuò)展到512Byte數(shù)據(jù)包，雖然數(shù)據(jù)量大大增加，但僅添加了數(shù)據(jù)分割的情況，算法仍然一樣。計算所得奇偶ECC數(shù)據(jù)均為12bit長，其中，3個低有效位代表bit地址(7～0)，9個高有效位代表512Byte的地址(255～0)。
3實驗分析
本實驗處理對像為256Byte的數(shù)據(jù)包，對其進(jìn)行ECC校驗共生成22bit校驗數(shù)據(jù)。為方便讀取，可以在末尾添加兩位，形成完整的3Byte校驗數(shù)據(jù)。這3Byte共24bit，分成兩部分：6bit的比特校驗和16bit的字節(jié)校驗，多余的兩個比特置1并置于校驗碼的最低位，在進(jìn)行異或操作時此兩比特忽略。
當(dāng)往NANDFlash頁中寫人數(shù)據(jù)時，每256bit生成一個ECC校驗，稱之為原ECC校驗和，并保存到頁的OOB數(shù)據(jù)區(qū)中；當(dāng)從NANDFlash中讀取數(shù)據(jù)的時，每256bit又生成一個新ECC校驗，稱之為新的ECC校驗和。校驗時，將從OOB區(qū)中讀出的原ECC校驗和與新ECC校驗和并執(zhí)行按位異或操作，若計算結(jié)果為全“0”，則表示不存在出錯，并將出錯狀態(tài)變量errSTATUS賦值為“00”；若結(jié)果為全“1”，表示出現(xiàn)1個比特錯誤，將errSTATUS賦值為"01”并進(jìn)行糾正；除全“0”和全“1”外的其他情況將errSTATUS賦值為“10”表示出現(xiàn)了無法糾正的2bit錯誤，如表1所示。
實驗仿真環(huán)境為AlteraQuartusII7．0，編程語言為VHDL。VHDL語言為硬件編程語言，具有并行處理的特點，而原程序中有大量的需要并行處理的異或操作，因此程序執(zhí)行效率高，非常有利于硬件實現(xiàn)。
圖9給出了數(shù)據(jù)包發(fā)生1bit錯誤的校驗情況。其中，DATAin表示待讀取的數(shù)據(jù)，HammingCALC表示在寫入NANDFlash頁時計算好的原始ECC，HAMMINGout表示后面在讀取DATAin數(shù)據(jù)時計算的新的ECC，errSTATUS為出錯狀態(tài)，ERRIoc為計算所得出錯的位置。為滿足1bit錯誤的條件且易于觀察，將256Byte數(shù)據(jù)(0～255)的最后一個Byte由“11110110”變?yōu)?ldquo;11111110”，如圖9中陰影部分所示。此時，errSTATUS結(jié)果為"01”，表明程序檢測出了該1bit錯誤，且ERRloc輸出為“111111111O11”，即出錯位置為第255Byte的比特3發(fā)生了錯誤。為糾正該錯誤，此時，只要將該位置的比特取反輸出即可。
在原來1bit錯誤的情況下，將其相鄰的第254bit的數(shù)據(jù)由“11110101”變?yōu)?ldquo;01110101”，如圖10陰影部分所示，整個數(shù)據(jù)包有2bit發(fā)生了變化。此時，errSTATUS結(jié)果顯示為“10”，即檢測出了有2bit錯誤。但此時的ERRloe無效，不能表征出兩個出錯的位置，也就是為什么ECC校驗只能檢測出2bit錯誤而不能對其進(jìn)行更正的原因。
當(dāng)然，如果數(shù)據(jù)包沒有發(fā)生任何錯誤，也就是若讀出的數(shù)據(jù)與先前寫入的數(shù)據(jù)完全一致，ECC校驗也是能夠保證檢測出來的。如圖11所示，當(dāng)未發(fā)生任何錯誤時，errSTATUS為“00”，驗證了數(shù)據(jù)的一致性。此時，ERPloe無意義。
值得說明的是，如果數(shù)據(jù)包發(fā)生的錯誤多于2bit，該算法并不適宜。測定了更多比特(≥3)出錯的情況，結(jié)果證明，errSTATUS的結(jié)果可能為“00”、“01”、“10”中的任何一個，也就是說在這種情況下，該算法很可能出現(xiàn)誤檢。因此，在這里，可以得出與ECC校驗原理相符的結(jié)論：ECC能夠保證糾正1bit錯誤和檢測2bit錯誤，但對于1bit以上的錯誤無法糾正，對2bit以上的錯誤不保證能檢測。
4結(jié)束語
本文將ECC校驗算法通過硬件編程語言VHDL在AheraQuanusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下進(jìn)行了后仿真測試，實現(xiàn)了NANDFlash的ECC校驗功能。本程序可實現(xiàn)每256Byte數(shù)據(jù)生成3ByteECC校驗數(shù)據(jù)，且通過與原始ECC數(shù)據(jù)對比，能夠保證檢測出1bit的錯誤及其出錯位置，進(jìn)一步結(jié)合對此錯誤的糾正，可應(yīng)用于NANDFlash讀寫控制器的FPGA設(shè)計，實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的ECC校驗，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)備有效地傳輸。經(jīng)硬件實驗結(jié)果反饋，該算法硬件適應(yīng)性良好。
ECC是一種在NANDFlash處理中比較專用的校驗，其原理簡便、易于執(zhí)行、計算速度快并且數(shù)據(jù)量越大，其算法越有效。但這樣一個高效的算法仍存在缺陷，那就是其有限的糾錯能力。本文也驗證了其對于2bit以上錯誤是無效的，盡管這種情況在Flash中發(fā)生的幾率很低，但就校驗原理來說，是否存在一種改進(jìn)的算法可用于多比特錯誤的糾正還有待進(jìn)一步研究和驗證。