4月16日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾和美光周四推出一種新型閃存存儲制造技術(shù)，這一技術(shù)使電子存儲芯片設(shè)計更加密集化，有利于縮小產(chǎn)品占據(jù)的空間。此款20納米級的 NAND芯片產(chǎn)品估計可在今年下半年大量生產(chǎn)。
英特爾和美光曾經(jīng)合作制造的AND快閃存儲芯片很多年，具有長期的合作伙伴關(guān)系。NAND閃存常用于制造智能手機或平板電腦。
先前版本的芯片為25納米級，英特爾表示升級至20納米后，不僅可維持同等級運算性能和耐久度，儲存空間更是多出50％大小。
美光的NAND市場部總裁凱文基爾伯克宣稱：持續(xù)縮減NAND的尺寸，確實為市場帶來新應(yīng)用程序空間在現(xiàn)有產(chǎn)品格式下，我們擁有更多空間放入 存儲，或能以更低的成本價位，保持同等存儲規(guī)格。
目前的8G的NAND閃存芯片采用新款20納米級技術(shù)，可減少約30-40％的體積，也讓平板電腦和智能手機制造商節(jié)省空間，可以使用作額外功能改 善，例如加大電池續(xù)航力，擴大屏幕，增添芯片來支持新的功能等等。
英特爾和美光稱，他們預(yù)計將在今年下半，推出16G的NAND閃存的新芯片產(chǎn)品。
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