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2016年Q4季全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)值達(dá)55.05億美元 季增20%

2017-02-19
關(guān)鍵詞: DRAM 蘋果 華為 20納米

最新調(diào)查顯示,在三星Note 7爆炸影響下,消費(fèi)者購(gòu)機(jī)需求紛紛轉(zhuǎn)向其他手機(jī)品牌,蘋果、華為與LG等品牌出貨明顯提升,讓早已供不應(yīng)求的DRAM市場(chǎng)供貨更為吃緊,帶動(dòng)價(jià)格飆漲,使2016年第四季全球行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)值高達(dá)55.05億美元,季成長(zhǎng)約20%。

以三大DRAM廠2016年第四季的行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收市占來(lái)看,三星半導(dǎo)體依然囊括過(guò)半的市占率,來(lái)到61.3%,SK海力士居次,為24.2%,而美光半導(dǎo)體為12.3%,三大主要DRAM廠的占比來(lái)到97.8%。

以整體營(yíng)收作計(jì)算,2016年第四季全球行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收就占了DRAM總營(yíng)收的44.2%。

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三星以18納米拉開競(jìng)爭(zhēng)差距并維持獲利

從三大DRAM廠的競(jìng)爭(zhēng)能力分析,三星仍是行動(dòng)式內(nèi)存的技術(shù)領(lǐng)先者,除了率先推出新規(guī)格LPDDR4x外,2017年制程亦從20納米逐步轉(zhuǎn)向18納米,一方面降低成本,更可與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手維持一定程度的技術(shù)差距,讓三星半導(dǎo)體的獲利表現(xiàn)有望進(jìn)一步提升。

SK海力士方面,由于21納米制程良率在2016年第四季已較為穩(wěn)定,2017年的目標(biāo)便是擴(kuò)大21納米的產(chǎn)出占比,旗下M14廠也有擴(kuò)大產(chǎn)能的規(guī)劃。SK海力士期許今年在產(chǎn)出與良率雙雙提升下,能滿足客戶的需求。此外,SK海力士也規(guī)劃于今年下半導(dǎo)入次世代18納米制程的產(chǎn)品,希望盡速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

美光集團(tuán)目前行動(dòng)式內(nèi)存已逐步轉(zhuǎn)向20納米制程為主,如臺(tái)灣美光晶圓科技(原華亞科)已全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程。臺(tái)灣美光內(nèi)存也正式于一月將18納米制程導(dǎo)入量產(chǎn),目前良率穩(wěn)定提升中,希望今年年底該廠能有90%皆為18納米制程的產(chǎn)品。

臺(tái)廠部分,南亞科由于行動(dòng)式內(nèi)存的產(chǎn)出比重提升,在漲價(jià)的幫助下,營(yíng)收市占從1.3%提升至1.5%,營(yíng)收成長(zhǎng)來(lái)到41.3%,為各廠最高。目前南亞科廠內(nèi)正進(jìn)行20納米制程的產(chǎn)線轉(zhuǎn)換工程,未來(lái)將能夠?qū)I(yíng)收有進(jìn)一步的貢獻(xiàn)。

華邦電去年第四季營(yíng)收市占來(lái)到0.7%,營(yíng)收方面小幅成長(zhǎng)6%,其中46納米制程的行動(dòng)式內(nèi)存占比已經(jīng)來(lái)到72%,華邦新制程38納米有機(jī)會(huì)于今年第三季導(dǎo)入生產(chǎn),優(yōu)先利用在利基型內(nèi)存與行動(dòng)式內(nèi)存上。

需求增速超越供給成長(zhǎng)速度,DRAM產(chǎn)業(yè)獲利將維持一整年

從市場(chǎng)面分析,由于DRAM原廠產(chǎn)能的擴(kuò)張效應(yīng)須待2017下半年陸續(xù)浮現(xiàn),整體上半年的供需依然維持吃緊。

吳雅婷指出,2017年搭載6GB內(nèi)存的高端智能手機(jī)已是各廠既定的方針,中端手機(jī)也會(huì)來(lái)到3/4GB的搭載量,預(yù)估2017年智能手機(jī)內(nèi)存的需求位成長(zhǎng)仍有30%以上,DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)獲利的狀況將維持一整年。


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